硅微通道板真空填蜡结构释放方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103165362A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103165362103165362A(43)申请公布日2013.06.19(21)申请号201310092179.3(22)申请日2013.03.21(71)申请人长春理工大学地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号(72)发明人梁永照柴进杨继凯王国政端木庆铎(74)专利代理机构长春菁华专利商标代理事务所22210代理人陶尊新(51)Int.Cl.H01J9/12(2006.01)B81C1/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称硅微通道板真空填蜡结构释放方法(57)摘要硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。CN103165362ACN103652ACN103165362A权利要求书1/1页1.一种硅微通道板真空填蜡结构释放方法，在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。2.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，将清洗后的硅片（1）与凝固状态的石蜡（2）一同放入容器（3）内时，硅片（1）正面朝上。3.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，将炉腔（5）抽真空至真空度为0.080~0.100Pa。4.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，炉腔（5）加热至50~135°C。5.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，打开真空干燥炉（4）通气阀门向炉腔（5）内通入空气，将炉腔（5）恢复常压。2CN103165362A说明书1/3页硅微通道板真空填蜡结构释放方法技术领域[0001]本发明涉及一种硅微通道板真空填蜡结构释放方法，用于宏孔硅微通道阵列的加工，属于硅微细加工技术领域。背景技术[0002]MCP（微通道板）是一种二维连续电子倍增电真空器件，由多个具有连续电子倍增能力的通道按某种几何图案排列构成，在微光夜视、航空航天探测、核探测及大型科学仪器领域有着广泛的应用。现有铅硅酸盐玻璃MCP由于材料组成与工艺的限制，存在使用寿命短、动态范围小、空间分辨能力有限、信噪比较低等难以克服的缺陷。为了提高MCP的性能，实现低噪声、长寿命、超小孔径、高输出、大面积、无离子反馈膜，现有技术从不同方面改进MCP。20世纪90年代初，美国Galileo电子-光学公司J.R.Horton等人提出采用单晶硅材料，利用先进的半导体器件制造工艺和微米/纳米加工技术制造硅微通道板。将基底材料与打拿极材料选择分开，将微孔阵列与连续打拿极形成工艺分开，彻底解决了玻璃微通道板多纤维拉制和氢还原处理相互牵制的问题，也给采用高纯材料和采用新工艺制作二次电子发射层提供了条件。分析表明，硅微通道板与玻璃微通道板比较具有通道孔径小、工作面积大、动态范围宽、几何保真度高、光谱响应范围宽、耐高温等优点。[0003]公开现有硅微通道加工技术的代表文献为ThurmanHendersonetal,EtchingTechnologiesinSupportoftheDevelopmentofaCoherentPorousSiliconWickforaMemsLHP,UniversityofCincinnati.(2004)。其中的硅微通道结构释放工艺流程为：清洗经电化学腐蚀后的硅片，以腐蚀的方式进行背部减薄，使阵列宏孔硅微通道通透，但是，减薄后的硅片背部表面比较粗糙，并且，由于这种粗糙导致一些微通道没能彻底通透，另外，电化学腐蚀工序存在的丢孔现象也使得一些微通道在减薄工序中未能达到彻底通透。再次清洗硅片之后向微通道内填充石蜡，也就是将硅片正面朝下放置在融化的石蜡上面，石蜡借助毛细现象浸润微通道内壁，直到浸润到微通道顶部后完成填蜡，填充石蜡