硅料中杂质的处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103266347A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103266347103266347A(43)申请公布日2013.08.28(21)申请号201310200070.7(22)申请日2013.05.27(71)申请人英利能源（中国）有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人白剑铭(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人吴贵明张永明(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)C30B15/20(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称硅料中杂质的处理方法(57)摘要本发明提供了一种硅料中杂质的处理方法，该硅料中杂质的处理方法包括杂质分离步骤，使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点，以使杂质在气态下与硅料分离。根据本发明的硅料中杂质的处理方法，可以将单晶炉内的硅料中的杂质去除，当利用单晶炉拉制单晶硅棒时，可以大大提高单晶硅棒的成品率，降低企业的生产单晶硅棒的成本。CN103266347ACN1032647ACN103266347A权利要求书1/1页1.一种硅料中杂质的处理方法，其特征在于，包括杂质分离步骤：使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点，以使所述杂质在气态下与所述硅料分离。2.根据权利要求1所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，在所述杂质分离步骤之前，还包括预处理步骤，所述预处理步骤包括：使石墨坩埚位于所述加热器的高温区。3.根据权利要求1所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，在所述杂质分离步骤中，所述加热器的功率为85KW至95KW。4.根据权利要求2所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，在进行所述杂质分离步骤时，观察所述石墨坩埚内的石英埚中的硅料，如果出现沸腾现象，下调所述加热器的功率，以使所述加热器的温度高于所述杂质的沸点且低于所述硅料的沸点。5.根据权利要求4所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，所述加热器的下调功率为3KW至7KW。6.根据权利要求1至5中任一项所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，所述杂质分离步骤的处理时间为1.5小时至2小时。7.根据权利要求1至5中任一项所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，在所述杂质分离步骤之后还包括将所述杂质分离步骤分离出的所述杂质排出单晶炉的杂质排除步骤。8.根据权利要求7所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，所述杂质排除步骤包括：调节所述单晶炉内的惰性气体的流量，使所述杂质伴随所述惰性气体流出所述单晶炉。9.根据权利要求8所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，所述惰性气体的流量为40L/min至60L/min。10.根据权利要求8所述的硅料中杂质的处理方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。2CN103266347A说明书1/3页硅料中杂质的处理方法技术领域[0001]本发明涉及杂质处理领域，更具体地，涉及一种硅料中杂质的处理方法。背景技术[0002]单晶炉在运行时需要用真空泵来进行排气，出现外网电源闪断或真空泵机械故障都会导致真空泵停止运转。如果是外网电源闪断导致真空泵停止运转，则需要手动再将真空泵开启；如果是真空泵出现了机械故障，则需要更换新的真空泵后再开启真空泵才能继续运行。真空泵停止运转后泵腔内将自动回填空气变成常压，而单晶炉内仍是低压的环境，内外的压力差将使这排气管路内的杂质倒吸入炉腔内。此时，一部分杂质会进入到单晶炉的热场内，甚至落入到已经融化的硅液中。如果硅液一旦有杂质进入，将导致单晶炉无法正常运行，使单晶炉拉制出的晶棒出现断棱的现象，影响晶棒的成品率。[0003]在现有技术中，当出现真空泵停止运转的事故后，只能继续运行当前工艺，由于硅液内杂质增加，此时晶棒将出现断棱的现象，此后单晶炉将无法再拉制单晶硅棒，只能拉制多晶硅棒，影响了晶棒的成晶率，增加了单晶炉的生产成本。发明内容[0004]本发明旨在提供一种硅料中杂质的处理方法，能够将硅料中的杂质去除，保证了单晶炉中拉制出的单晶硅棒的成品率。[0005]为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，提供了一种硅料中杂质的处理方法，该硅料中杂质的处理方法包括杂质分离步骤：使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点，以使杂质在气态下与硅料分离。[0006]进一步地，在杂质分离步骤之前还包括预处理步骤，预处理步骤包括：使石墨坩埚位于加热器的高温区。[0007]进一步地，在杂质分离步骤中，加热器的功率为85KW至95KW。[0008]进一步地，在进行杂质分离步骤时，观察石墨坩埚内的石英埚中的硅料，如果出现沸腾现象，下调加热器的功率，以使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点。[0009]