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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103352248A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103352248103352248A(43)申请公布日2013.10.16(21)申请号201310299472.7(22)申请日2013.07.17(71)申请人英利能源(中国)有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人潘家明何广川陈艳涛(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人吴贵明张永明(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图2页附图2页(54)发明名称多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺(57)摘要本发明提供了一种多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺。结晶工艺包括:当硅料处于固态硅与液态硅的共存物的状态时,保持铸锭炉内顶部的温度,以继续熔化固态硅,并逐步降低铸锭炉内底部的温度,以使液态硅再结晶形成多晶硅锭。由于当硅料处于固液混合物状态时就对液态硅进行结晶处理,因而保证每台铸锭炉内的液态硅的温度基本一致,也就保证了液态硅所含的潜热一致,从而使液态硅的结晶速度稳定、提高了液态硅的结晶稳定性,进而提高了由多晶硅锭制成的太阳能电池片的性能。同时,本发明中的多晶硅的结晶工艺具有工艺简单、生产效率高的特点。CN103352248ACN1035248ACN103352248A权利要求书1/1页1.一种多晶硅的结晶工艺,其特征在于,所述结晶工艺包括:当硅料处于固态硅与液态硅的共存物的状态时,保持铸锭炉内顶部的温度,以继续熔化所述固态硅,并逐步降低所述铸锭炉内底部的温度,以使所述液态硅再结晶形成多晶硅锭。2.根据权利要求1所述的结晶工艺,其特征在于,所述固态硅与所述液态硅的比值区间为3.根据权利要求1所述的结晶工艺,其特征在于,所述铸锭炉内的加热器(10)恒温加热,以保持所述铸锭炉内顶部的温度。4.根据权利要求1所述的结晶工艺,其特征在于,逐步增大所述铸锭炉内底部的散热窗口(20)的开度,以逐步降低所述铸锭炉内底部的温度。5.一种多晶硅的铸锭工艺,其特征在于,包括:步骤S1:将硅料放置在铸锭炉的坩埚(30)内,通过加热器(10)对所述硅料进行加热;步骤S2:逐步提高所述加热器(10)的加热温度,直至所述硅料形成固态硅与液态硅的共存物为止;步骤S3:所述固态硅与所述液态硅分层,且所述固态硅位于所述液态硅的上层;步骤S4:根据权利要求1至4中任一项所述的结晶工艺,对所述固态硅与所述液态硅的共存物进行结晶处理,以形成多晶硅锭;步骤S5:对所述多晶硅锭进行后处理。6.根据权利要求5所述的铸锭工艺,其特征在于,在所述步骤S1中将所述铸锭炉的炉温提升至第一温度,并保持所述铸锭炉内底部的散热窗口(20)呈关闭状态。7.根据权利要求6所述的铸锭工艺,其特征在于,所述步骤S2还包括:步骤S21:将所述铸锭炉的炉温由所述第一温度提升至第二温度,并保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口(20)呈关闭状态;步骤S22:将所述铸锭炉的炉温由所述第二温度提升至第三温度,并继续保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口(20)呈关闭状态。8.根据权利要求7所述的铸锭工艺,其特征在于,在所述步骤S3中保持所述铸锭炉的炉温为所述第三温度,并继续保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口(20)呈关闭状态。9.根据权利要求5所述的铸锭工艺,其特征在于,所述步骤S5包括步骤S51:降低所述铸锭炉的炉温,并关闭所述铸锭炉内底部的所述散热窗口(20),使所述铸锭炉的底部温度升高,以消除所述多晶硅锭的内应力。10.根据权利要求9所述的铸锭工艺,其特征在于,所述步骤S5还包括在所述步骤S51之后的步骤S52:降低所述铸锭炉的炉温,以对所述多晶硅锭进行冷却,而后将所述多晶硅锭从所述铸锭炉内取出。2CN103352248A说明书1/6页多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地,涉及一种多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺。背景技术[0002]随着光伏行业的迅速发展,多晶硅铸锭炉因其产能高、生产的产品(多晶硅锭和类单晶硅锭)质量稳定性高等特点,在光伏发电行业得到广泛应用。[0003]多晶硅的铸锭工艺包括:加热、熔化、结晶(定向结晶)、退火、冷却五个工艺步骤。高纯多晶硅料放置在铸锭炉的石英坩埚内,经过上述的工艺步骤,最终生长成用于生产太阳能电池片所需的多晶硅锭。[0004]现有技术中生产多晶硅锭时,当硅料处于熔化阶段时,需要等待硅料完全熔化成液态硅后,再进行结晶的工艺步骤。当铸锭炉内底部温度降低至1400摄氏度以下时,液态硅才开始进入结晶生长过程,而此时铸锭炉内的液态硅的整体温度