多晶硅炉管生长厚度监测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103400780A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103400780103400780A(43)申请公布日2013.11.20(21)申请号201310354782.4(22)申请日2013.08.14(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区高科技园区高斯路568号(72)发明人王智罗宏鹏苏俊铭张旭升(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人陆花(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图5页附图5页(54)发明名称多晶硅炉管生长厚度监测方法(57)摘要本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。CN103400780ACN103478ACN103400780A权利要求书1/1页1.一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。2.根据权利要求1所述的多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于，在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置两个控片。3.根据权利要求1或2所述的多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于，晶舟内的中间位置放置两个控片。4.根据权利要求1或2所述的多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于，在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置两个控片。5.根据权利要求1或2所述的多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于，在取所述控片进行多晶硅生长厚度量测的步骤中，取出与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置的两个控片中的下面的一个控片、晶舟内的中间位置放置的两个控片的下面的一个控片、以及下端侧部虚拟晶圆邻接地放置的两个控片的下面的一个控片40进行多晶硅生长厚度量测。6.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的多晶硅炉管生长厚度监测方法的多晶硅生长方法。2CN103400780A说明书1/3页多晶硅炉管生长厚度监测方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种多晶硅炉管生长厚度监测方法。背景技术[0002]图1示意性地示出了根据现有技术的多晶硅炉管生长厚度监测方法的示意图。[0003]常规状况下针对批次作业的炉管，为了保障产品厚度对于各个晶圆的一致性，会在晶舟100的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆（sidedummy）10，当定义的产品（即，需要生长多晶硅的目标晶圆20）位置未放满产品时，剩余的空位会补满填充虚拟晶圆（extradummy）30，如图1所示。[0004]跑货时随产品一起放进三片控片40，这三片控片40分别放置在晶舟100的与上端侧部虚拟晶圆邻接的位置、晶舟100的中间位置、以及晶舟100的与下端侧部虚拟晶圆邻接的位置，由此利用所述三片控片40在监测颗粒的同时也监测所长膜的厚度，如图1所示。[0005]但是，因为虚拟晶圆（包括侧部虚拟晶圆10和填充虚拟晶圆30）在炉管内循环利用，所以虚拟晶圆正反面都是多晶硅膜，而需要生长多晶硅的目标晶圆20进多晶硅炉管时正反面都是氧化物膜，为了真实监测产品所长膜厚度，控片40进管时也是氧化物膜。在这种情况下，由于多晶硅膜和氧化物膜对于热量的吸收和反射存在差异，造成当产品和控片的上面一片晶圆是虚拟晶圆时，所长膜就会变厚，从而导致产品膜厚异常，控片监测数据异常。[0006]因此，希望能够提供一种能够避免产品膜厚异常，同时保障了控片监测数据的真实性和稳定性的技术方案。发明内容[0007]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，通过改善常规的炉管监测手法，避免产品膜厚异常，同时保障了控片监测数据的真实性和稳定性。[0008]根据本发明的第一方面，提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，其特征在于包括：[0009]在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；[0010]在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；[0011]晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；[00