一种化学气相沉积制备石墨烯的方法.pdf
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一种化学气相沉积制备石墨烯的方法.pdf
一种化学气相沉积制备石墨烯的方法,包括以下步骤:将衬底钴镍合金用质量分数为75%的乙醇溶液清洗三次,在50℃~80℃下烘干;将钴镍合金衬底放入石英炉中,加热温度至880℃~890℃,通氦气,氦气流速为50sccm;保持温度在880℃~890℃下向石英炉中均匀加入乙苯;将石英炉降温到室温,取出样品;将样品进行超声处理,超声处理功率为800w,时间为60~90min,获得石墨烯。制备得到的石墨烯具有较大的载流子迁移率。
石墨烯的化学气相沉积法制备.pdf
石墨烯的化学气相沉积法制备石墨烯是一种由单层碳原子组成的二维材料,具有出色的物理、化学和机械性能,在能源、材料、生物医学等领域具有广泛的应用前景。石墨烯的制备方法很多,其中化学气相沉积法因其具有制备过程相对简单、易于大规模生产等优点而受到广泛。本文将介绍石墨烯的化学气相沉积法制备、性质及其应用。化学气相沉积法是一种制备石墨烯的有效方法,其原理是将含有碳源的气体在催化剂的作用下,通过化学反应在基底表面沉积出石墨烯。近年来,研究者们在化学气相沉积法制备石墨烯方面进行了大量研究,取得了重要进展。石墨烯是一种由单
一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法.pdf
本发明属于半导体材料制备领域,具体涉及一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法。本发明的步骤是首先对铜箔进行电解抛光,然后将铜箔放入石英管反应器内,在氢气条件下进行退火,然后于500~580℃,同时调节氢气的流速为2.4~3.0sccm,并通入液体碳源,在铜箔上生长石墨烯条带,控制压力在2.0~10.0Torr之间,控制生长时间为10~50min,得到生长在铜箔上的石墨烯条带。本发明方法中使用电解抛光的铜箔,使得铜箔表面的化学活性更高,采用的碳源为具有芳香族和脂肪族化合物特征以及介于芳香族和脂肪族化合物特
化学气相沉积法制备石墨烯研究.docx
化学气相沉积法制备石墨烯研究化学气相沉积法制备石墨烯研究摘要:石墨烯因其出色的物理、化学和电学性质,而备受科学家们的广泛关注。化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)被认为是一种有效的制备石墨烯的方法。本文介绍了化学气相沉积法制备石墨烯的原理和过程,并对其制备条件、控制因素以及应用领域进行了详细讨论。1.引言石墨烯是一种由碳原子组成的单层二维晶体结构材料,具有极高的导电性、导热性和力学性能。由于其出色的性能,石墨烯在电子器件、催化剂、传感器等领域有着广泛的应用前景。因此,石墨
一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法.pdf
一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法,涉及一种石墨烯材料的制备方法。步骤是,将金属衬底置于真空管式炉或者真空气氛炉中,在除去真空腔内氧气的情况下,将氢气注入真空腔中,并升温至800-1100摄氏度,再将碳源气体注入真空腔中,即得沉积石墨烯的金属衬底。本发明采用化学气相沉积法,在金属衬底(铜箔或镍箔等)上高温裂解甲烷或其他碳源气体,沉积得到石墨烯薄膜,从而提供一种制备超大面积单层或者多层石墨烯薄膜的方法。