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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103601357103601357A(43)申请公布日2014.02.26(21)申请号201310615370.1(22)申请日2013.11.28(71)申请人泗阳瑞泰光伏材料有限公司地址215434江苏省苏州市太仓港港口开发区平江路88号(72)发明人朱松涛冯立学刘志飞赵亮吉飞罗英明(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204代理人刘燕娇(51)Int.Cl.C03B11/00(2006.01)C03B29/06(2006.01)C01B33/037(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图1页附图1页(54)发明名称一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法(57)摘要本发明公布了一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,包括压料、装料、提纯等步骤,装料中使用增加石英上沿套的坩埚进行装料,提纯步骤中在加热阶段的温度可达到1500℃。本发明在普通的坩埚上增加了石英上沿套,增加了坩埚的高度,提高坩埚有效的装料空间,在相同配料方案下,上沿套使用前后对比单炉次产能从360-380kg增加至410-430kg,有效的提高了铸锭产能,降低了生产成本;本发明中使用的石英上沿套成本非常低廉,操作简单;本发明提高了加热阶段的温度,从常规的1175℃提高至1500℃,有效的缩短坩埚加热升温时间。CN103601357ACN103657ACN103601357A权利要求书1/1页1.一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:将硅粉放入铸锭炉中,利用铸锭炉进行提纯,提纯工艺包括以下步骤:加热:在真空度为1.0-1.5mbar条件下,进行加热升温,当加热温度升至1200-1300℃时,开始充入惰性保护气体,真空度为100-200mbar,继续加热升温,当温度升至1470-1500℃时,铸锭炉由功率控制模式转温度控制模式,加热时间4-6h;熔化:在真空度为100-200mbar条件下,继续加热升温使坩埚中的硅料完全熔化,熔化温度为1500-1560℃,熔化时间为8-12h,此阶段连续充入惰性保护气体;长晶:在真空度为100-200mbar条件下,打开铸锭炉的隔热层,降低温度进入长晶阶段,长晶温度为1440-1400℃,长晶时间为24-27h,此阶段连续充入惰性保护气体;冷却:在真空度为200-850mbar条件下,降低温度,进入冷却阶段,冷却温度为1000-400℃,冷却时间为6-8h,此阶段连续充入惰性保护气体。2.根据权利要求1所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:在提纯之前经过如下两个步骤:(1)压料:对硅粉原料进行全部的压制,压制后的硅粉结块;(2)装料:将压制后的硅粉装入石英坩埚中,再将装有硅粉的石英坩埚放入铸锭炉中进行提纯。3.根据权利要求1所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:所述惰性保护气体为氦气或氩气。4.根据权利要求2所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:步骤1中使用四柱液压机进行压制,压制后的硅粉粒径大小范围为1-5cm。5.根据权利要求2所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:步骤2中所用的石英坩埚为增加石英上沿套的坩埚。6.根据权利要求5所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:所述的石英上沿套的材质与原普通石英坩埚的材质相同,在普通石英坩埚的上沿口沿着竖直方向安装,所述石英上沿套的规格为840mm*840mm*100mm。7.根据权利要求6所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:所述的普通石英坩埚为普通G5石英坩埚。8.根据权利要求2所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:步骤2的具体装料步骤如下:(a)块料铺底:将压制后的硅粉的边皮料铺在普通石英坩埚的底部;(b)将压制后的不同规格的硅粉混合装料;(c)放置石英上沿套;(d)上沿套与坩埚结合处用边皮料竖直贴边;(e)边皮料盖顶:硅粉料装好后用边皮料覆盖表面,装料高度不超过上沿套高度。9.根据权利要求7所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:步骤c中具体是在装料高度距坩埚上沿口55-65mm处放置上沿套。10.根据权利要求7所述的利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,其特征在于:步骤d中贴边的边皮料距上沿套上沿口距离为2-4mm,所述边皮料的高度为155-160mm。2CN103601357A说明书1/5页一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法技术领域[0001]本发明涉及一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,属于太阳能多晶铸锭硅粉提纯技术领域。背景技术[0002]在太阳能光伏产业中,铸锭多晶硅以低成本、高效率的优势成为目前有竞争力