一种砷化镓多晶合成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103741223103741223A(43)申请公布日2014.04.23(21)申请号201310751698.6(22)申请日2013.12.23(71)申请人青岛润鑫伟业科贸有限公司地址266000山东省青岛市市南区香港中路18号A栋804室(72)发明人任知良王明刚王雪梅(51)Int.Cl.C30B29/42(2006.01)C30B28/00(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书1页说明书1页(54)发明名称一种砷化镓多晶合成装置(57)摘要本发明提供一种砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使合成单元升降转动的运动单元，运动单元与合成单元、合成炉体相连接；石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合。CN103741223ACN103742ACN103741223A权利要求书1/1页1.一种砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使合成单元升降转动的运动单元，运动单元与合成单元、合成炉体相连接；石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合，所述石墨坩埚盖内和石墨坩埚内镀膜氮化硼，石墨坩埚中均匀设置3-5个3英寸的氮化硼坩埚，所述保温单元外层由高纯石墨制成，内层填有石墨保温毡。2CN103741223A说明书1/1页一种砷化镓多晶合成装置技术领域[0001]本发明涉及一种砷化镓多晶的合成装置。背景技术[0002]随着科技的发展和进步，半导体材料越来越多地应用在光电器件中，例如砷化镓多晶等材料，而砷化镓多晶等材料需要合成，目前现有的砷化镓多晶的合成工艺存在着众多缺陷和不便，合成的砷化镓多晶结晶性不好并且成品率较低。因此，寻找一种能够避免以上缺陷的砷化镓多晶的合成装置成为目前最为迫切的需要。发明内容[0003]本发明提供一种砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使合成单元升降转动的运动单元，运动单元与合成单元、合成炉体相连接；石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合，所述石墨坩埚盖内和石墨坩埚内镀膜氮化硼，石墨坩埚中均匀设置3-5个3英寸的氮化硼坩埚，所述保温单元外层由高纯石墨制成，内层填有石墨保温毡。具体实施方式[0004]下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。[0005]该砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使合成单元升降转动的运动单元，运动单元与合成单元、合成炉体相连接；石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合，所述石墨坩埚盖内和石墨坩埚内镀膜氮化硼，石墨坩埚中均匀设置3-5个3英寸的氮化硼坩埚，所述保温单元外层由高纯石墨制成，内层填有石墨保温毡。3