磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103882348103882348A(43)申请公布日2014.06.25(21)申请号201310250659.8(22)申请日2013.06.21(71)申请人洛阳威尔若普检测技术有限公司地址471000河南省洛阳市高新开发区洛宜南路火炬创新创业园B2幢606(72)发明人窦柏林黄金亮缪康窦晨琛(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.C22C45/04(2006.01)B22D11/06(2006.01)H01F1/153(2006.01)H01F1/16(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图1页附图1页(54)发明名称磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法(57)摘要本发明是关于电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及制备方法。其中电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的组成成分及各成分的重量百分含量为：Fe3～6%，Si7～16%，B2～15%，Ni2%，Nb1%，Ga0.5～2%，稀土金属300ppm～0.2%，余量为Co；该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料是采用真空熔炼及高速旋淬急冷完成，制备的合金薄带经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场退火以优化其软磁性能，本工艺方法制备的高磁导率非晶软磁合金薄带在电磁磁电效应式传感器使用，具有性能稳定，检测精度提高，重复性好等优点。CN103882348ACN103824ACN103882348A权利要求书1/1页1.电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及制备方法，其特征在于其组成成分及各成分的重量百分含量为：Fe3～6%，Si7～16%，B2～15%，Ni2%，Nb1%，Ga0.5～2%，稀土金属300ppm～0.2%，余量为Co。2.根据权利要求1所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料，其特征在于所述的稀土金属为镧、铱、铈中的至少一种。3.一种如权利要求1或2所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）取配方量的Fe、B、Ni、Nb，及部分Co在真空非自耗电弧炉中惰性气体保护下于1300～1450℃熔炼，然后倒入水冷锭模中，冷却得到中间合金；（2）将制得的中间合金及剩余部分Co，和配方量的Si、Ga和稀土金属在真空熔炼炉中惰性气体保护下于1400～1550℃熔炼，合金温度降至1150℃然后倒入水冷锭模中，冷却得到母合金铸锭；（3）将炼好的母合金铸锭装入石英坩埚内，在惰性气体的保护下，感应加热重熔，当达到甩带温度1120～1250℃温度后，快速将石英坩埚由加热位置下降到喷带位置，并使喷嘴口与铜辊保持0.2～0.28mm间隙，然后，立即用0.03～0.06MPa气压的惰性气体将熔融合金通过喷嘴喷铸在高速旋转的铜辊面上急冷，而得到非晶合金薄带，即该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料。4.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于其还包括将制备得到的该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场进行退火步骤。5.根据权利要求4所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的退火步骤条件为：温度320～400℃，时间20～40min，磁场方向为合金条带长度方向倾斜30度，磁场强度15～40kA/m。6.根据权利要求5所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于经退火处理后的该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的综合性能为：饱和磁感应强度Bs为0.71T，矫顽力Hc为1.12A/m，初始磁导率达到94800Gs/Oe，最大磁导率达320000Gs/Oe。7.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的惰性气体为氩气。8.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（1）、（2）中的熔炼时间为20～30min。9.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（3）中的加热重熔时间为15min，甩带温度1120～1250℃。2CN103882348A说明书1/5页磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法技术领域[0001]本发明涉及合金材料技术领域，具体涉及电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料