水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104109901104109901A(43)申请公布日2014.10.22(21)申请号201310131908.1(22)申请日2013.04.17(71)申请人北京滨松光子技术股份有限公司地址100070北京市丰台区南四环西路128号院3号楼903室(72)发明人潘兴彦张红武韩永飞于立伟(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉(57)摘要本发明涉及晶体生长设备领域，具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。本发明提供的水冷杆包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口利出水口；本发明提供了一种包括上述水冷杆的晶体生长炉。本发明采用分段式水冷杆米调节温场，可有效地传导结晶潜热，保证温场的平衡。此外，本发明还提供了一种包括上述水冷杆的封闭式晶体生长炉，该晶体生长炉不但消除了挥发物对环境的污染，使得坩埚不需要密封，从而能够多次使用，而且在抽真空或充气的条件下能够有效地防止加热炉丝因氧化而损坏。CN104109901ACN1049ACN104109901A权利要求书1/1页1.一种水冷杆，其特征在于：所述水冷杆包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口和出水口。2.如权利要求1所述的水冷杆，其特征在于：所述水冷杆还包括上段进水管和上段出水管，所述上段进水管穿过所述下水冷段的进水口和所述上水冷段的进水口，所述上段出水管穿过所述上水冷段的出水口和所述下水冷段的出水口。3.一种晶体生长炉，包括水冷杆，其特征在于：所述水冷杆为如权利要求1-2任一项所述的水冷杆。4.一种封闭式晶体生长炉，包括炉体、炉座和水冷杆，其特征在于：所述水冷杆为如权利要求1-3任一项所述的水冷杆，所述生长炉还包括密封系统，所述密封系统包括钟罩和密封圈，所述钟罩设在所述炉体的外侧并扣在所述炉座上，所述钟罩与所述炉座的衔接处以及所述水冷杆与所述炉座的衔接处有所述密封圈。5.如权利要求4所述的封闭式晶体生长炉，其特征在于：所述密封圈的下端设有导热板，所述导热板用于降低所述密封圈的温度。6.如权利要求5所述的封闭式晶体生长炉，其特征在于：所述导热板通有冷却水。7.如权利要求5所述的封闭式晶体生长炉，其特征在于：所述导热板为导热性好的材料。8.如权利要求4所述的封闭式晶体生长炉，其特征在于：所述密封圈与所述水冷杆的间隙处填充有密封材料。9.如权利要求4所述的封闭式晶体生长炉，其特征在于：所述炉体外侧包裹有保温层。2CN104109901A说明书1/3页水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉技术领域[0001]本发明涉及晶体生长设备领域，具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。背景技术[0002]坩埚下降法，义称布里奇曼晶体生长法，是将一个垂直放置的坩埚逐渐下降，使其通过一个温度上高下低的温度梯度区，熔体自下而上凝固，使晶体生长。[0003]晶体生长炉是生长晶体的关键设备之一。利用坩埚下降法的晶体生长炉的炉体一般包括上炉膛和下炉膛，上炉膛为高温区，一般采用电阻丝、硅钼棒进行加热，能使坩埚内的材料维持熔融状态，下炉膛为低温区，不加热，上炉膛和下炉膛之间有隔热层，用于形成较大的纵向温度梯度区，以有利于晶体的生长。当坩埚由上炉膛缓缓移向下炉膛时，材料熔体就开始围绕晶核结晶。晶核形成时会释放结晶潜热并由坩埚下部传递出去。当过冷度适宜时，这部分潜热徐徐传出，晶体正常生长；若这部分潜热不能移去，晶核就可能重新被熔融；若过冷度太大，则容易导致晶体生长速率过快，出现枝蔓生长。因此，现有技术的晶体生长炉一般用通有冷却水的下降托杆(简称为“水冷杆”)支撑坩埚，水冷杆通过机械传动装置连接带动坩埚下降。[0004]然而，现有技术的水冷杆的结构比较简单，在生长大尺寸晶体时不能有效地释放结晶潜热、调节温场平衡。[0005]此外，目前国内普遍采用不密封的晶体生长炉，当涉及挥发性材料，比如生长掺有碘化铊的闪烁晶体时，原料溶化后挥发出的碘和碘化铊会对人体造成伤害并对环境造成严重污染，因此需要将坩埚密封。但是这种方式在取出晶体时会造成坩埚损坏，使得坩埚不能多次使用。发明内容[0006]有鉴于此，本发明提供了一种水冷杆和使用该水冷杆的生长炉，以解决现有技术的水冷杆不能有效进行温场调节的问题，同时提供了一种使用该水冷杆的封闭式晶体生长炉，该封闭式晶体生长炉不但解决了生长晶体时原料熔化后向外部环境挥发的问题，而且解决了密封坩埚不能多次使用的问题。[0007]为了实现上述目的，本发明采取的方案如下：[