磷化铟生长坩埚清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104368566A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.02.25(21)申请号201310355906.0(22)申请日2013.08.14(71)申请人台山市华兴光电科技有限公司地址529341广东省台山市台城石华路61号(72)发明人关活明(51)Int.Cl.B08B7/04(2006.01)C30B11/00(2006.01)C30B29/40(2006.01)权利要求书1页说明书1页(54)发明名称磷化铟生长坩埚清洗方法(57)摘要本发明涉及一种磷化铟生长坩埚清洗方法，包括：1、先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；2、晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200℃以上；3、冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；4、冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。CN104368566ACN104368566A权利要求书1/1页1.一种磷化铟生长坩埚清洗方法，其特征在于：1)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；2)晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200℃以上；3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。2CN104368566A说明书1/1页磷化铟生长坩埚清洗方法技术领域：[0001]本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种磷化铟生长坩埚的清洗方法。背景技术[0002]InP晶体生长技术在世界范围内分为三种：垂直温度梯度结晶生长法(VGF)、水平生长法、液封提拉晶体生长法。相比较于其它二项技术，垂直温度梯度结晶生长法技术特点是：1、晶体缺陷密度低；2、生长方向是<1000>，这样有利大尺寸生长。[0003]垂直温度梯度结晶生长法是将盛有多晶材料的PBN(热压氮化硼)坩埚封装在一个石英器皿之中，然后垂直放入多温区VGF炉中生长。因此，PBN坩埚是制备磷化铟单晶体的重要器件，其表面的洁净程度的高低，杂质含量的多少，对磷化铟单晶体纯度及性能有着重大的影响。发明内容[0004]根据以上情况，本发明的目的在于提供一种磷化铟生长坩埚清洗方法，可去除PBN坩埚表面的杂质，保证InP单晶的生成质量。[0005]为实现上述目的，本方法包括：[0006]1)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；[0007]2)晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200℃以上；[0008]3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；[0009]4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。[0010]本发明的优点在于：该方法简单易行，步骤简便，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。具体实施方式[0011]下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。[0012]将PBN坩埚放入超声波清水洗10分钟，去处表面的灰尘；晾干后放到明火中燃烧10分钟，火焰温度在1200℃以上；取出冷却后置入真空烘烤炉中，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉真空度抽至10-5Pa，温度150℃，持续30分钟。冷却后取出放置于真空干燥器中待用。[0013]本方法操作步骤简便，可达到较好的磷化铟生长坩埚表面清洁的目的。3