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上海市2011年度“科技创新行动计划”重大科技项目指南
为进一步提升上海科技创新能力，围绕“创新驱动，转型发展”主线，根据国家和上海的中长期科技发展规划、“十二五”科技规划，针对上海科技进步、民生发展及产业培育重大需求，开展相关科学研究，实现关键技术突破，上海市科学技术委员会特发布本指南。
一、研究领域
（一）基础研究领域
专题1：痛风和高尿酸血症发生机制研究与干预策略
研究目标：聚焦痛风和高尿酸血症，重点探索嘌呤代谢、尿酸排泄及炎症相关通路基因和蛋白质功能，研究痛风发生的易感因素和炎症启动、自发缓解机制，制定痛风高危人群筛检和干预策略，提高痛风防治水平。
研究内容：（1）通过SNP分析、基因精细定位和拷贝数变异分析等手段，发现高尿酸血症和（或）痛风的候选致病突变和拷贝数变异；研制高尿酸血症和（或）痛风易感人群筛检和个体化治疗高通量基因芯片或试剂盒。（2）通过动物模型和痛风患者跟踪研究，探明痛风性关节炎的始动促发因素及炎症启动和自发缓解机制。（3）进行基于痛风患者队列和社区的痛风流行病学研究，探明高尿酸血症转变为痛风的诱发因素，制定及实施高尿酸血症分级干预措施，并进行效果评估。
研究期限：2014年9月30日前完成。
经费额度：本专题支持额度不超过400万元。
专题2：甲状腺疾病危险因素及分子诊断研究
研究目标：结合大规模人群及流行病学工作基础，探索影响甲状腺疾病发生发展的环境危险因素（碘和内分泌干扰物）及作用机制，并筛选出基于高通量基因组学的新的恶性甲状腺结节分子诊断标记物，进一步验证其与临床预后的相关性，以期揭示甲状腺疾病的危险因素，完善甲状腺结节诊断流程，为甲状腺疾病的预防、诊治新策略提供依据。
研究内容：（1）结合大规模人群流行病学工作基础，开展环境危险因素对甲状腺疾病病理生理过程发生发展的影响，明确其与遗传背景的关系，并阐明其作用的分子机制。（2）开展甲状腺恶性结节关键分子标记物的研究，发现基于甲状腺良恶性结节组织标本库及临床资料库，及高通量基因组学技术平台的甲状腺恶性结节特异的关键分子标记物。（3）结合分子流行病学，验证甲状腺分子标记物与临床预后的相关性，并整合甲状腺结节传统诊断指标，建立简单有效的甲状腺结节诊治流程。
研究期限：2014年9月30日前完成。
经费额度：本专题支持额度不超过400万元。
专题3：可降解骨内植物用镁基生物材料相关重大问题的基础研究
研究目标：开发具有自主知识产权，兼有生物安全性、生物力学相容性和降解可控性特色的新型可降解医用镁材料及器件（室温拉伸屈服强度>350MPa、延伸率>10%、均匀腐蚀速度<0.5mm/年），研究并揭示镁材料在骨环境中的安全降解吸收代谢机制，为临床应用奠定理论和技术基础。
研究内容：（1）材料及器件：研究镁材料的强韧化和高纯净度镁材料制备、组织结构调控及器件精密成型技术，开发出骨内植物用医用镁材料及器件；（2）可控降解：研究镁材料降解机理及其在骨环境下的力学性能衰减规律，建立有效的体外动态检测评价方法，实现可控降解；（3）医用基础：研究镁材料体内降解及其降解产物对新骨形成和骨内重建过程的影响，揭示其在骨环境中的安全降解吸收代谢机制。
研究期限：2014年9月30日前完成。
经费额度：本专题支持额度不超过300万元。
（二）高新技术领域
专题1：基于SiGe的硅基高速光电芯片设计与制造
研究目标：研究基于SiGe-BiCMOS（锗硅双极-互补金属氧化物半导体集成电路工艺）高速光电芯片技术，实现SOI（绝缘体上硅）光波导器件和SiGeHBT（锗硅异质结双极性晶体管）的单片集成；以开发用于下一代光接入网的10Gbps（10千兆比特每秒）突发模式光发射驱动芯片和光接收前端放大芯片为目标，研究可与光子回路集成的各个关键电路技术，性能满足实际系统应用要求。
研究内容：（1）各个关键高速单元电路技术，包括时钟频率在10GHz（10千兆赫兹）以上的高速逻辑单元电路、高速光接收机前端低噪声宽带放大器技术、10Gbps高速激光调制驱动电路技术、SiGeHBT行波放大电路技术等。在最大限度地扩大电路的增益带宽积的同时，开发能够和未来相关光子器件单片集成的电路结构。（2）研究SiGe-BiCMOS高速电路和SOI光子器件集成技术，实现SiGe工艺平台上的光电单片集成，研究在SOI衬底材料上制造SiGeHBT的工艺方法，实现SOI光波导器件和SiGeHBT电路单片集成的工程演示芯片。
研究期限：2014年9月30日前完成。
经费额度：本专题支持额度不超过1000万元。
专题2：高性能、低成本车用动力锂离子电池关键材料研制与应用开发
研究目标：全面掌握车用动力电池关键原材料、单体及系统设计开发、规模化生产、应用及成本控制技术，实现电池规模生产及系统集成应用。磷酸亚铁锂达到3000吨/年、聚