一种氮化物半导体发光器件及其制备方法.pdf

一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化

2023-06-19

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一种半导体发光器件及其制备方法.pdf

本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件

2023-11-15

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III族氮化物半导体发光器件及其制造方法.pdf

提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud-GaN层，该ud-GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud-GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的

2023-06-14

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III族氮化物半导体发光器件及其生产方法.pdf

为了提供一种III族氮化物半导体发光器件生产方法，该方法旨在不减小发光层的In浓度的情况下生长平坦的发光层。本技术的方法包括n侧超晶格层形成步骤，其中重复形成InGaN层、布置在InGaN层上的GaN层以及布置在GaN层上的n型GaN层。在InGaN层的形成中，供给氮气作为载气。在n形GaN层的形成中，供给由氮气和氢气形成的第一混合气体作为载气。第一混合气体具有大于0％并且小于或等于75％的氢气体积比率。

2023-06-14

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第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法.pdf

本发明涉及第III族氮化物半导体器件及其制造方法。具体地，本发明提供了一种表现出提高的光提取效率的第III族氮化物半导体发光器件。AlGaN半导体层形成为与p-GaN?p接触层接触并且形成在p-GaN?p接触层上，并且ITO透明电极形成为与半导体层接触并且形成在半导体层上。半导体层包含具有10摩尔％至50摩尔％的Al组成比的AlGaN，并且具有至的厚度。半导体层具有在发射波长下比p接触层的折射率低且比透明电极的折射率高的折射率。通过形成这样的半导体层，抑制了p接触层与透明电极之间的反射，从而提高了光提取效

2023-06-14

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