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一种硅片的磷吸杂扩散工艺.pdf
2023-06-19
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葫芦****io
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一种硅片的磷吸杂扩散工艺.pdf
本发明涉及一种硅片的磷吸杂扩散工艺，属于光伏技术领域。将清洗制绒好的硅片放入扩散炉，通入氮气、氧气和三氯氧磷，在高温下进行扩散；扩散分三次沉积，每次沉积后都有一定时间的推进，然后冷却至常温。按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，电池片的平均转换效率提升0.2%以上。
2023-06-19
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N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备.pdf
本发明提供了一种N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备，包括在硅片的至少一个表面上形成磷浆层；对形成有磷浆层的硅片进行链式扩散退火，链式扩散退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，升温阶段和降温阶段均分别包含具有不小于30℃/min的温度骤变度，使得磷浆层与硅片中的杂质互溶而形成磷硅吸杂层；去除磷硅吸杂层。本发明使用磷浆层喷涂叠加链式扩散退火炉技术进行磷吸杂，磷浆层的喷涂与链式扩散退火炉集成在一起，通过更优温度条件和强光辐射下扩散实现快速磷重掺杂，同时使用快速退火技术，使得金属杂质固定并析出在磷硅吸杂层，扩散温度
2023-06-15
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多晶硅片的磷扩散工艺.pdf
本发明涉及一种多晶硅片的磷扩散工艺，特征是：将制好绒面的多晶硅片清洗干净后放置在扩散炉中进行护散，扩散采用十步扩散步骤：扩散时通入氮气，氮气的通入量为20000ml。多晶硅片扩散后方块电阻为60Ω，将扩散好的多晶硅片加工成电池片。本发明低温扩散能更好的保护扩散炉，延长扩散炉的使用寿命，低温扩散也可以降低电的消耗量，降低太阳能电池的加工成本；通过扩散条件的改变，硅片扩散后的方块电阻比传统工艺提高了10Ω；用本发明所述的扩散工艺做成的电池片的开路电压比以前提高了2mV，电池片的短路电流比以前提高了0.03A，
2023-06-20
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一种硅片外吸杂方法.pdf
本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30-120分钟，在所述的快速热处理炉保温的时间为1-10分钟。本发明方法操作简单、成本低廉，且吸杂效果非常好。
2023-06-20
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一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺.pdf
本发明公开了一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面或者由载气携带POCl3进入扩散炉管，在保护气氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟，接着将硅片置于500～800℃下保温20～60分钟，冷却后除去磷硅玻璃层。本发明工艺采用变温吸杂的方式，结合高温易将杂质溶解释放、在较低温度易使其有效地被吸杂层捕获的优点，能有效地降低硅基体中金属杂质的含量，提高太阳电池的光转化效率。
2023-06-20
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