一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法.pdf

本发明涉及一种一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片，包括：以偏钨酸铵、钨酸钠中的一种或两种混合物为钨源，以硫脲为硫源，按钨源中的钨、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8～2.5)，并按钨源中的钨与NaCl的摩尔比为1:(50～600)计，将钨源、硫源和NaCl加入去离子水中溶解，再冷冻和进行真空干燥，得到混合物；将制得的混合物研磨成粉末，过筛后铺于方舟中，置于管式炉恒温区进行煅烧和化学气相沉积，得到产物A；水洗并进行真空干燥，得到二硫化钨纳米片。本发明可得到结晶度高、质量好、尺寸均一、厚度较薄、可量产的单晶

2023-06-19

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垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法.pdf

本发明公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法，包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中；(3)将真空管式炉抽至高真空，通入氩气和氢气；(4)将管式炉依次升温、保温、降温；(5)取出衬底，衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片；本发明制备的垂直排列的二硫化铪纳米片均匀性好、质量高、面积大，为二硫化铪纳米材料的基础研究以及相关二维纳米光电子器件的潜在应用的研究提供了样品制备的可靠手段，垂直排列的纳米结构比表面积大，表面活性高，在作为催化剂方面有很广阔的应用前景

2023-06-19

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硫化镓纳米材料的化学气相沉积法制备与性能研究.docx

硫化镓纳米材料的化学气相沉积法制备与性能研究Title:PreparationandCharacterizationofGalliumSulfideNanomaterialsviaChemicalVaporDepositionMethodAbstract:Galliumsulfide(GaS)nanomaterialshaveattractedsignificantattentionduetotheiruniquepropertiesandwiderangeofapplications.Inthisstu

2024-10-24

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一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法.pdf

本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形

2023-06-16

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一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法.pdf

本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法，包括：将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理；将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中，利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔上的不同厚度二硒化钽纳米片样品。化学气相沉积方法的使用能够实现大面积、高质量、厚度可调二硒化钽样品的批量可控制备；可以实现其微观形貌和电子结构的探索；通过调控生长时间可以制备不同厚度/畴区尺寸的二硒化钽样品。

2023-06-17

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