一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺.pdf
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一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺.pdf
本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺,其中光吸收层铜锑硒采用多源共蒸发沉积工艺制备,用束源炉蒸发各组成元素,能精确控制各源的蒸发速率至“埃每秒”量级,尤其能降低沉积速率、微调铜和锑的比例,由于铜锑硒熔点较低,且降低沉积速率可促进薄膜有序外延生长、提高结晶性,经优化薄膜沉积工艺。本发明在衬底温度低于300度即可制备出结晶性良好、符合化学计量比的铜锑硒薄膜。本发明制备方法相对于传统的热蒸发法降低了沉积温度,节约了生产成本,并为制备柔性衬底太阳能电池打下基础。
一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法,采用先溅射金属预制层后硒化的方法。磁控溅射提高了成膜均匀性,同时控制溅射功率和沉积时间易于调节金属预制层的厚度和成分,使其成分富锑;之后进行了金属预制层的合金化和硒化,先将金属预制层在真空管式炉内退火,使其形成合金,之后再在双温区管式炉内进行硒蒸气热处理,对金属预制层进行硒化,最终生成结晶性良好的铜锑硒薄膜。本发明的制备方法不仅解决了化学计量比的铜锑硒薄膜难以制备的问题,也提高了薄膜均匀性和结晶性,为制备铜锑硒薄膜太阳能电池打下了基础。
一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层的方法.pdf
一种制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在玻璃基片上溅射制备Mo背电极;然后以Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷块交叉拼接靶材为靶材,各拼接陶瓷块角度分别为5°,20°,20°。在400℃~450℃条件下在Mo背电极上用射频磁控溅射沉积铜铟镓硒(CIGS)薄膜,随后将沉积获得的CIGS薄膜移入管式真空炉中,真空炉抽至真空小于8.0×10-3Pa,以20℃/min升温速率将CIGS薄膜加热至500℃~550℃,以5℃/min将硒源加热到230℃~280℃,用氩气(Ar)作
用作太阳能电池光吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法.pdf
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,其特征在于,使用铜铟镓硒单靶磁控溅射和硒化退火工艺。将Mo靶和CuIn0.75Ga0.25Se2靶材安装于磁控溅射腔体内,先使用直流电源溅射双层Mo,再使用射频电源溅射铜铟镓硒预置层,然后在管式炉中采用单质Se源在Ar气流中对预置层进行硒化退火,获得所述的铜铟镓硒薄膜。所述的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿相结构,可用作薄膜太阳能电池的光吸收层。本发明所述的方法工艺简单,成本低,并且利于环保,适合大面积制备。
一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法.pdf
本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法,在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体;升华源准备步骤,对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源;衬底处理步骤,对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥;窗口层形成步骤,在FTO衬底上形成硫化镉窗口层;吸收层形成步骤,在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层;退火步骤,吸收层生长结束后,对样品进行退火;背电极制备步骤,在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点,可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易