光纤预制棒的制造装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105669019A(43)申请公布日2016.06.15(21)申请号201610243042.7(22)申请日2016.04.19(71)申请人江苏亨通光导新材料有限公司地址215200江苏省苏州市吴江市经济开发区亨通路100号(72)发明人赵奉阔田国才屠建宾钮晓平钱亮(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350代理人汤东凤(51)Int.Cl.C03B37/018(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称光纤预制棒的制造装置及其制造方法(57)摘要本发明提供一种光纤预制棒的制造装置及其制造方法，其制造装置包括：氧化脱水烧结炉、位于该烧结炉内的中心管、位于该烧结炉内且位于该中心管外的至少一发热体、位于该中心管内的SiO2坯体、用于密封该中心管的密封罩、位于该中心管内称为内腔体、位于该中心管外且位于烧结炉内称为外腔体、连接至该外腔体的第一真空排气管和第一气管、连接至该烧结炉的第二真空排气管和第二气管，其中，所述发热体、SiO2坯体、以及密封罩均位于所述烧结炉内。本发明方法，通过SiO2坯体的脱OH和除C的方法和氧化脱水烧结炉,解决除碳和脱水问题，以获得低C和低OH光纤预制棒；本发明结构简单、可靠。CN105669019ACN105669019A权利要求书1/2页1.一种光纤预制棒的制造装置，其特征在于，其包括：氧化脱水烧结炉、位于该烧结炉内的中心管、位于该烧结炉内且位于该中心管外的至少一发热体、位于该中心管内的SiO2坯体、用于密封该中心管的密封罩、位于该中心管内称为内腔体、位于该中心管外且位于烧结炉内称为外腔体、连接至该外腔体的第一真空排气管和第一气管、连接至该烧结炉的第二真空排气管和第二气管，其中，所述发热体、SiO2坯体、以及密封罩均位于所述烧结炉内。2.根据权利要求1所述的光纤预制棒的制造装置，其特征在于：还包括连接在该第一真空排气管上且位于外腔体外的第一真空泵、以及连接在该第二真空排气管上且位于外腔体外的第二真空泵。3.根据权利要求1所述的光纤预制棒的制造装置，其特征在于：还包括连接在该第一气管上且位于外腔体外的第一压力传感器、以及连接在该第二气管上且位于外腔体外的第二压力传感器。4.采用权利要求1-3任一所述的制造装置的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，其包括如下步骤：第一步：对位于中心管内的SiO2坯体进行真空处理；第二步：在真空状态下，外腔体内通入He气体、内腔体内通入O2气体、Cl2气体、和He气体，使SiO2坯体充分吸附；第三步：加热加热器，使得SiO2坯体的温度加热至第一预设温度，SiO2坯体内的C与O2充分反应；第四步：继续加热加热器，使得SiO2坯体的温度加热至第二预设温度，SiO2坯体内的OH与Cl2充分反应；第五步：停止加热器加热，对SiO2坯体进行真空处理；第六步：继续加热加热器，使得SiO2坯体温度加热至第三预设温度，对SiO2坯体进行玻璃化处理，获得低C、低OH的光纤预制棒。5.根据权利要求4所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述SiO2坯体的制造方法为：以CH4和O2为反应气体、以及以SiCl4为原料，通过沉积方法获得SiO2坯体。6.根据权利要求4所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述SiO2坯体的制造方法为：以H2和O2为反应气体、以及以OMCTS为原料，通过沉积方法获得SiO2坯体。7.根据权利要求4所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述SiO2坯体的制造方法为：以CH4和O2为反应气体、以及以OMCTS为原料，通过沉积方法获得SiO2坯体。8.根据权利要求5-7任一所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述第一步包括如下步骤：步骤A1：SiO2坯体置于烧结炉之中，并盖上密封罩；步骤A2：同步降低内腔体和外腔体的压力，使得内腔体和外腔体处于真空状态，并保持第一预设时间。9.根据权利要求8所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述第二步包括如下步骤：步骤B1：在真空状态下，第一气管向外腔体通入He气体，同时第二气管向内腔体通入O2气体、Cl2气体、以及He气体，使SiO2坯体充分吸附；步骤B2：监视中心管外的外腔体内的压力，同时监视中心管内的内腔体内的压力，始终2CN105669019A权利要求书2/2页保持外腔体的压力大于内腔体的压力；步骤B3：当内腔体的压力达到第一预设压力值时，停止向内腔体和外腔体通气，保持第二预设时间，使SiO2坯体10充分吸附。10.根据权利要求9所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述步骤B2，外腔体的压力与内腔体的压力的压力差大于第一预设压力5-250pa、或者外腔体的压力与内腔体的压力的压力差大于第二预