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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105780127A(43)申请公布日2016.07.20(21)申请号201610207469.1(22)申请日2016.04.05(71)申请人盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司地址224431江苏省盐城市阜宁县经济开发区协鑫大道88号(72)发明人杨健党继东(74)专利代理机构苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251代理人陆金星(51)Int.Cl.C30B31/08(2006.01)C30B31/18(2006.01)H01L21/223(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法(57)摘要本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,包括如下步骤:(1)将扩散炉升温至760~780℃;进舟;(2)调温至780~790℃;(3)通入携磷源气体及干氧,进行低温扩散;(4)停止通入携磷源气体及干氧,将炉内温度升高至820~840℃,推进,(5)进行恒温推进;(6)将扩散炉内温度降低到700~750℃,进行降温扩散;(7)降温出舟。本发明开将退火步与二次扩散步结合,避免了现有技术中因退火而引起的表面掺杂溶度二次降低且杂质分布宽的问题;不仅使杂质分布符合浅结及窄杂质需求,而且还增加了产量,提高了光电转换效率。CN105780127ACN105780127A权利要求书1/1页1.一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将扩散炉升温至760~780℃,大氮流量为10000~30000sccm;进舟;(2)调温至780~790℃,大氮流量为10000~30000sccm,炉内压力控制在50~200mba;调温时间控制在600~800秒;(3)保持上述温度、压力和大氮流量不变,同时通入携磷源气体及干氧,进行低温扩散,扩散时间为600~900秒;所述氧气的流量为1000~2000sccm;所述携磷源气体的流量为0.8~2L/min;(4)停止通入携磷源气体及干氧,将炉内温度升高至820~840℃,边升温边推进,大氮流量控制在10000~30000sccm,炉内压力控制在50~200mba,推进时间控制在300~600秒;(5)待炉内温度稳定在820~840℃时,进行恒温推进,推进时间控制在300~600秒;大氮流量控制在10000~30000sccm,炉内压力控制在50~200mba;(6)保持炉内压力不变,将扩散炉内温度降低到700~750℃,同时通入携磷源气体及干氧,进行降温扩散,在降温的同时进行退火吸杂,扩散时间为1000~3000秒;所述氧气的流量为2000~5000sccm;大氮流量为10000~30000sccm;携磷源气体的流量为0.8~2L/min;(7)降温出舟,完成扩散过程。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中,将扩散炉升温至770~780℃。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(6)中的携磷源气体为氮气和POCl3。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)中,大氮流量为18000sccm;氧气的流量为1500sccm;携磷源气体的流量为1L/min。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(6)中,将扩散炉内温度降低到740~750℃。6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(6)中,大氮流量为17500sccm;氧气的流量为4000sccm;携磷源气体的流量为1L/min。7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中,进舟时间控制在600~800秒。8.根据权利要求1至7任一项所述的磷扩散方法获得的晶体硅太阳能电池。2CN105780127A说明书1/4页一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法,属于一种制造太阳能电池的扩散制结工艺,属于太阳能电池技术领域。背景技术[0002]常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳电池中,晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。[0003]目前广泛采用的晶体硅太阳能电池的制造工艺也已经标准化,主要步骤为:化学清洗及表面结构化处理(制绒)-扩散制结-周边刻蚀-沉积减反射膜-印刷电极-烧结