一种半导体气敏基体材料及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105823799A(43)申请公布日2016.08.03(21)申请号201610162772.4(22)申请日2016.03.22(71)申请人苏州捷德瑞精密机械有限公司地址215000江苏省苏州市高新区浒关工业园青花路6号标准厂房(72)发明人姚振红(74)专利代理机构北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙)11346代理人魏秀莉(51)Int.Cl.G01N27/00(2006.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书2页说明书5页(54)发明名称一种半导体气敏基体材料及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种半导体气敏基体材料及其制备方法。由以下步骤制备而成：（1）将聚乙烯醇、甲基纤维素和水混合搅拌；（2）加入聚乙烯醇继续搅拌；（3）冷却，加入聚乙二醇辛基苯基醚、非离子聚丙烯酰胺和松香搅拌；（4）加热搅拌；（5）将四氯金酸三水合物、氯金酸钠和水搅拌，将柠檬酸钠二水合物和水搅拌，将叔丁基对苯二酚和无水乙醇搅拌；（6）将上述所有溶液和双乙酸钠混合搅拌；（7）冷却，加入纳米氧化锌和二水乙酸锌搅拌后静置脱泡，得纺丝溶液；（8）注入塑料管中进行静电纺丝收集纤维；（9）将纤维放入马弗炉中锻烧即得。本发明的半导体气敏基体材料对乙醇气体的敏感度随着其浓度的增加而增加，气敏性高，同时可重复利用性好。CN105823799ACN105823799A权利要求书1/2页1.一种半导体气敏基体材料，其特征在于：由以下成分以重量份制备而成：纳米氧化锌0.1-0.3份、四氯金酸三水合物5-10份、氯金酸钠0.5-1份、柠檬酸钠二水合物3-6份、二水醋酸锌10-15份、叔丁基对苯二酚0.1-0.2份、双乙酸钠0.1-0.3份、聚乙烯醇5-8份、甲基纤维素1-3份、聚乙二醇辛基苯基醚0.05-0.1份、非离子聚丙烯酰胺0.05-0.1份、松香0.1-0.2份、无水乙醇1-2份、去离子水320-370份。2.根据权利要求1所述的一种半导体气敏基体材料，其特征在于：由以下成分以重量份制备而成：纳米氧化锌0.15-0.25份、四氯金酸三水合物6-9份、氯金酸钠0.6-0.9份、柠檬酸钠二水合物4-5份、二水醋酸锌11-14份、叔丁基对苯二酚0.11-0.17份、双乙酸钠0.15-0.25份、聚乙烯醇6-7份、甲基纤维素1.5-2.5份、聚乙二醇辛基苯基醚0.06-0.09份、非离子聚丙烯酰胺0.06-0.08份、松香0.11-0.16份、无水乙醇1.3-1.8份、去离子水330-360份。3.权利要求1至2任一项所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将一半聚乙烯醇、甲基纤维素和100-150份去离子水混合，用磁力搅拌机在温度85-95℃，转速60-80r/min下搅拌2-3小时；（2）加入另一半聚乙烯醇，继续在温度85-95℃，转速60-80r/min下搅拌4-6小时；（3）冷却至室温，加入聚乙二醇辛基苯基醚、非离子聚丙烯酰胺和松香，搅拌10-30分钟；（4）加热至85-95℃，用磁力搅拌机在转速60-80r/min下搅拌20-30分钟；（5）将四氯金酸三水合物、氯金酸钠和150-180份去离子水混合搅拌均匀，将柠檬酸钠二水合物和剩余去离子水混合搅拌均匀，将叔丁基对苯二酚和无水乙醇混合搅拌均匀；（6）将上述所有溶液混合，并加入双乙酸钠，继续搅拌6小时；（7）冷却至室温，加入纳米氧化锌和二水乙酸锌，搅拌30-60分钟后静置脱泡，得纺丝溶液；（8）将纺丝溶液注入塑料锥形管中进行静电纺丝收集纤维，电压为18-22kV；（9）将纤维放入马弗炉中，以10℃/min的升温速率升温至500-520℃，锻烧3.5-4.5小时即得。4.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中温度为90℃，转速为65-75r/min，搅拌时间为2.5小时。5.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中温度为90℃，转速为65-75r/min，搅拌时间为5小时。6.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中搅拌时间为15-25分钟。7.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中温度为90℃，转速为65-75r/min，搅拌时间为25分钟。8.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（7）中搅拌时间为40-50分钟。9.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（8）中电压为19-21kV。10.根据权利要求3所述的一种半导体气敏基体材料的制备方法，其