一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105977334A(43)申请公布日2016.09.28(21)申请号201610527980.X(22)申请日2016.07.07(71)申请人许昌学院地址461000河南省许昌市八一路88号(72)发明人李品将李学峰王玉丹祁强张士礼代亚威(74)专利代理机构河南大象律师事务所41129代理人尹周(51)Int.Cl.H01L31/072(2012.01)H01L31/032(2006.01)H01L31/18(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/58(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，先用磁控溅射仪在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的Sn，称取不同量的硫粉，在管式炉中硫化得到SnS2，用无水乙醇、蒸馏水各洗涤3次，真空干燥。再用磁控溅射仪上在SnS2导电玻璃上溅射Sn，放在管式炉中真空烧结，得到目标产物。本法用磁控溅射的方法得到致密的Sn，在真空下烧结通过固相反应得到目标产物。本方法操作简单，对环境无污染，反应周期短，形成致密的薄膜。CN105977334ACN105977334A权利要求书1/1页1.一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的金属锡与不同量的硫粉在管式炉中不同温度、不同时间下硫化，得到的产物再利用磁控溅射对应厚度的金属锡，然后放在管式炉中不同温度、不同时间下真空烧结得到目标产物；本发明的制备SnS/Sn2S3/SnS2异质结薄膜的方法，其具体的步骤为：1）、用磁控溅射仪在洗涤干净的FTO玻璃上分别溅射50nm、100nm、150nm、200nm的金属锡薄膜；2）、分别称取0.2g、0.5g、0.8g、1.0g的硫粉，分别称取0.2g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200nm的金属锡在管式炉中温度设置为300℃，1h；350℃，3h；400℃，4h；450℃，2h；同理，分别称取0.5g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200nm的金属锡在管式炉中温度设置为350℃，2h；300℃，4h；450℃，3h；400℃，1h；分别称取0.8g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200nm的金属锡在管式炉中温度设置为400℃，3h；450℃，1h；300℃，2h；350℃，4h；分别称取1.0g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200nm的金属锡在管式炉中温度设置为450℃，4h；400℃，2h；350℃，1h；300℃，3h，将得到的产物用蒸馏水、无水乙醇各洗涤3次，真空干燥；3）、将上述得到的产物分别溅射按照步骤2）中对应厚度的金属锡薄膜，然后放在管式炉中按照步骤2）中对应的温度、时间真空烧结得到目标产物。2.根据权利要求1所述的SnS/Sn2S3/SnS2异质结薄膜的制备，其特征在于：利用磁控溅射在FTO导电玻璃基地上得到致密的金属锡薄膜，再利用硫气氛炉硫化反应获得二硫化锡薄膜。3.根据权利要求1所述的S一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，其特征在于：在二硫化锡薄膜上溅射一层金属锡薄膜，并在管式炉中真空烧结，通过固相反应得到目标产物。4.根据权利要求1所述的一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射金属锡薄膜的厚度为50~200nm。5.根据权利要求1所述的一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，其特征在于：所述硫化气氛的温度为300~500℃。2CN105977334A说明书1/3页一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明属于半导体光电转换材料及无机太阳能电池领域，主要涉及一种可用于无机太阳能电池的二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法。[0002]背景技术：近些年来，随着化石能源及不可再生能源的日益枯竭，世界正陷入一场能源危机，各国正在积极寻找可再生能源来替代化石能源。科学家们在寻找各种新的能源加以利用，其中以对太阳能的研究最为广泛，因为太阳能取之不尽、用之不竭，是新能源的首选材料，在太阳能的利用形式中尤其以太阳能电池的研究和应用受到了各国研究人员的极大关注。近年来，无机纳米晶异质结薄膜太阳能电池引起了研究者的广泛兴趣。而锡硫化物是一种廉价、无污染的半导体材料，且硫、锡元素含量丰富，受到国内外学者的广泛关注。SnS2是n型半导体材料，能带带隙是2.44eV，能够很好的吸收太阳能；Sn