一种直拉单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106087036A(43)申请公布日2016.11.09(21)申请号201610559541.7(22)申请日2016.07.15(71)申请人保山新澳泰能源有限公司地址678100云南省保山市昌宁县体育场南侧园区管委会二楼(72)发明人卜庆宝(74)专利代理机构北京国智京通知识产权代理有限公司11501代理人孙文彬(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种直拉单晶炉(57)摘要本发明公开了一种直拉单晶炉，包括炉体，炉体包括炉座和炉腔，炉腔设置在炉座上，所述炉体内设有加热装置和直拉成型装置，加热装置包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器和石墨电极，石墨坩埚包裹在石英坩埚的外侧，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨电极设置在加热器的底端，直拉成型装置包括竖直设置的籽晶轴和坩埚轴，籽晶轴设置在石英坩埚的上方，坩埚轴设置在石英坩埚的底部，籽晶轴的上方设有与籽晶轴相连接的籽晶轴驱动装置，坩埚轴的底部设有坩埚轴驱动装置，生产效率高，易于制备大直径硅单晶，并且晶体生长速度快、晶体的纯度和完整性高。CN106087036ACN106087036A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶炉，包括炉体，炉体包括炉座和炉腔，炉腔设置在炉座上，其特征在于，所述炉体内设有加热装置和直拉成型装置，加热装置包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器和石墨电极，石墨坩埚包裹在石英坩埚的外侧，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨电极设置在加热器的底端，直拉成型装置包括竖直设置的籽晶轴和坩埚轴，籽晶轴设置在石英坩埚的上方，坩埚轴设置在石英坩埚的底部，籽晶轴的上方设有与籽晶轴相连接的籽晶轴驱动装置，坩埚轴的底部设有坩埚轴驱动装置。2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述加热装置设置在炉座内，所述直拉成型装置沿着炉腔设置。3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述籽晶轴的端部设有籽晶夹头。4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述炉座上设有直径测量仪，直径测量仪的测量头倾斜设置，对着石英坩埚中心位置。5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述炉腔上设有测温仪。6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述炉腔上设有观察窗。7.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述石墨电极的外侧设有保温罩，保温罩形成包裹石墨坩埚的腔体。8.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于，所述炉腔上设有氩气进气口和氩气出气口，氩气进气口位于氩气出气口顶部，所述炉座底部也设有氩气出气口。2CN106087036A说明书1/3页一种直拉单晶炉技术领域[0001]本发明涉及光伏单晶硅生产领域，特别涉及一种直拉单晶炉。背景技术[0002]随着世界光伏行业的发展，对硅单晶的质量要求越来越高，直径也越来越大。硅单晶已经成为通用高品质光伏电池的材料基础，有不可替代的作用。就硅晶体生长和制备而言，有天然硅晶体和人工硅晶体。天然硅晶体的数量很少，一般硅单晶都是人工制造的。为了制备性能良好的硅单晶，在生产实践中，通过不断地研究、实践和探索，不断完善了硅单晶生长技术。从熔体中生长单晶所用方法有区熔法、基座法、片状单晶生长法、蹼状单晶生长法等。尽管制备硅单晶方法有很多种，但由于设备和工艺比较复杂，生产效率较低，不易于制备大直径无位错硅单晶片，导致晶体生长速度、晶体的纯度和完整性均不适合光伏大规模硅单晶生产的要求。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种直拉单晶炉，生产效率高，易于制备大直径硅单晶，并且晶体生长速度快、晶体的纯度和完整性高，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。[0004]为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：一种直拉单晶炉，包括炉体，炉体包括炉座和炉腔，炉腔设置在炉座上，其特征在于，所述炉体内设有加热装置和直拉成型装置，加热装置包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器和石墨电极，石墨坩埚包裹在石英坩埚的外侧，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨电极设置在加热器的底端，直拉成型装置包括竖直设置的籽晶轴和坩埚轴，籽晶轴设置在石英坩埚的上方，坩埚轴设置在石英坩埚的底部，籽晶轴的上方设有与籽晶轴相连接的籽晶轴驱动装置，坩埚轴的底部设有坩埚轴驱动装置。[0005]优选的，所述加热装置设置在炉座内，所述直拉成型装置沿着炉腔设置。[0006]优选的，所述籽晶轴的端部设有籽晶夹头。[0007]优选的，所述炉座上设有直径测量仪，直径测量仪的测量头倾斜设置，对着石英坩埚中心位置。[0008]优选的，所述炉腔上设有测温仪。[0009]优选的，所述炉腔上设有观察窗。[0010]优选的，所述石墨电极的外侧设有保温