一种电磁炉开机保护IGBT的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106357248A(43)申请公布日2017.01.25(21)申请号201510442481.6(22)申请日2015.07.17(71)申请人深圳市芯创微电子有限公司地址518033广东省深圳市福田区深南中路南光捷佳大厦1127号(72)发明人黄光佐(51)Int.Cl.H03K17/22(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种电磁炉开机保护IGBT的方法(57)摘要本发明涉及到电磁炉开机保护IGBT的方法，该方法解决了现有技术中电磁炉开机时需额外附加电路保护IGBT的问题，使电磁炉控制电路更加简单，可靠。本发明的主要特点是在IGBT的驱动电路中，加入上电复位信号，在电磁炉上电期间，产生一定时间的低电平(在此低电平期间，保证关闭IGBT)，再经过一定时间后变为高电平信号。在IGBT的驱动电路中，用该复位信号和MCU控制信号相与非，然后经过电路处理，使IGBT驱动电路在复位期间(复位信号为低电平)输出低电平信号以关闭IGBT，在复位信号完成后(复位信号为高电平)，IGBT驱动芯片的输出信号随MCU控制信号而改变，以达到控制IGBT的目的。CN106357248ACN106357248A权利要求书1/1页1.一种电磁炉开机保护IGBT的方法，其特征在于当电磁炉控制系统中的MCU在开机时有一段上电复位时间，MCU未进入程序运行，系统中的IGBT此时的开关状态不确定，此时为防止IGBT误开启，该发明在IGBT驱动芯片中引入上电复位信号，保证IGBT在上电期间处于关闭状态。2.根据权利要求1所述的一种电磁炉开机保护IGBT的方法，其特征是，IGBT驱动芯片电路在系统开机时，产生一定时间的低电平复位信号，经过一定时间后维持为高电平(5V电压)信号。3.一种如权利要求1所述的一种电磁炉开机保护IGBT的方法，其特征在于，利用IGBT驱动芯片产生的复位信号与MCU产生的控制信号相与非逻辑运算，得到新的控制信号，该信号经过电路处理以控制IGBT。2CN106357248A说明书1/2页一种电磁炉开机保护IGBT的方法技术领域[0001]本发明涉及到IGBT驱动保护领域，特别涉及电磁炉IGBT开机保护。背景技术[0002]随着技术的发展，消费者对家电产品可靠性要求越来越高，在电磁炉日益普及的今天，各种IGBT开机保护电路也层出不穷，使电磁炉的可靠性越来越高。[0003]在现有的技术中，很多IGBT开机保护电路是通过外部附加电路来实现的，这些电路不仅可靠性不够，而且带来附加成本。[0004]本发明借鉴于以上问题，结合相关领域的设计及专业经验，针对电磁炉IGBT器件提出了基于驱动芯片来保护IBGT的方法，使电磁炉IGBT的控制更加简单，可靠。发明内容[0005]本发明的目的是为了解决电磁炉控制系统在上电期间，MCU必须有一段上电复位时间，在此上电复位时间期间，若不对IGBT提供保护，将可能使IGBT长时间导通过流而损坏。为此，系统必须在上电期间对IGBT加以保护。[0006]为了达到上述的目的，本发明提供一种在IGBT驱动芯片中提供上电复位期间保护IGBT的方法，包括如下步骤：[0007]1、在上电期间，产生一低电平复位信号，经过一定时间后，复位信号变为高电平信号，在低电平复位期间，芯片将关闭IGBT，以达到开机保护IGBT的目的；[0008]2、将低电平复位信号与MCU控制IGBT的信号相与非而产生新的控制信号；[0009]3、将新的控制信号处理及电平移位，使其直接控制IGBT，同时在处理电路中，使输出信号在复位信号为低电平“0”时，输出为低电平，在复位信号为高电平“1”时，仅跟随MCU控制信号变化。附图说明[0010]图1为实施方案原理框图。[0011][0012]图中同相端A，反相端B均为来自MCU控制信号，不同驱动方式时，接入信号不同，具体接入方法在具体实施方式中描述。具体实施方式[0013]以下是本发明的实施方案，由于在电磁炉控制系统中，有MCU输出高电平时开启IGBT和MCU输出低电平时开启IGBT两种方式；因此，此说明书中将MCU高电平和低电平开启IGBT两种方式集中在一起描述说明，如果将驱动芯片做为MCU高电平开启IGBT和MCU低电平开启IGBT两种独立的芯片，亦在该专利保护之列。该发明的发明点在于图1中F信号的产生。3CN106357248A说明书2/2页[0014]一、MCU高电平输出信号开启IGBT方式：[0015]001、在MCU高电平输出信号开启IGBT方式下，信号由同相端A接入，反相端B悬空不接；[0016]002、在上电期间，复位信号C为一低电平，经过一定时间(约200毫秒)后，复位信号C变为高电平信号；[