一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN106399787B(45)授权公告日2018.06.01(21)申请号201610786622.0(51)Int.Cl.(22)申请日2016.08.31C22C27/04(2006.01)C22C1/04(2006.01)(65)同一申请的已公布的文献号B22F9/22(2006.01)申请公布号CN106399787AB22F3/04(2006.01)(43)申请公布日2017.02.15B22F3/10(2006.01)(73)专利权人安泰天龙（天津）钨钼科技有限公B22F3/24(2006.01)司C22F1/18(2006.01)地址301800天津市宝坻区节能环保工业审查员刘彪区宝中道10号专利权人安泰科技股份有限公司(72)发明人钟铭韩蕊蕊董建英高欣海刘亚梅(74)专利代理机构北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387代理人刘春成荣红颖权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：步骤一，按照所述钼板中K和Si的含量分别称取所需的K源和Si源，配制得到混合溶液；步骤二，将步骤一得到的所述混合溶液与Mo源混合均匀并干燥，得到掺杂Mo源；步骤三，将步骤二得到的混合物进行还原处理，得到掺杂钼粉；步骤四，将步骤三得到的掺杂钼粉进行压型、烧结、轧制处理，得到掺杂钼板；步骤五，将步骤四得到的掺杂钼板进行退火处理，得到0.5～4mm厚的Mo-K-Si高温抗蠕变钼板。本发明的材料有极高的高温抗蠕变性能，在1900℃以下的抗蠕变性能远优于纯钼，可用作高温烧结的承烧板，或高温炉中的结构性部件。CN106399787BCN106399787B权利要求书1/2页1.一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板的制备方法，其特征在于，所述钼板中K的质量百分比含量为0.01～0.03％，Si的质量百分比含量为0.01～0.05％，所述制备方法包括如下步骤：步骤一，按照所述钼板中K和Si的含量分别称取所需的K源和Si源，配制得到混合溶液；所述步骤一中，称取的K源和Si源的用量符合如下关系：按重量百分比，K：Si＝1:0.8～1.5；步骤二，将步骤一得到的所述混合溶液与Mo源混合均匀并干燥，得到掺杂Mo源；步骤三，将步骤二得到的混合物进行还原处理，得到掺杂钼粉；步骤四，将步骤三得到的掺杂钼粉进行压型、烧结、轧制处理，得到掺杂钼板；步骤五，将步骤四得到的掺杂钼板进行退火处理，得到高温抗蠕变钼板。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，称取的K源和Si源的用量符合如下关系：按重量百分比，K:Si＝1:1。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述K源为KNO3，所述Si源为H2SiO3。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中，K的浓度为3～30g/L，Si的浓度为3～35g/L。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述Mo源为四钼酸铵。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，以100kg四钼酸铵计，四钼酸铵与2.5-10L所述混合溶液混合均匀并干燥，得到掺杂四钼酸铵。7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二在双锥式真空烘干机中进行。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述还原处理分为两个阶段，第一次还原处理得到掺杂二氧化钼，第二次还原处理得到掺杂钼粉。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述第一次还原处理的还原温度为450-520℃，所述第二次还原处理的还原温度为930-1000℃。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述还原处理通过四管还原炉进行，所述第一次还原处理时，装舟量为200-300g/舟，推舟速度为15-30min/舟；所述第二次还原处理时，装舟量为0.8-1.5kg/舟，推舟速度为10-25min/舟。11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述压型处理采用冷等静压成型，得到掺杂钼板坯。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述冷等静压成型的压力为150-200MPa，保压时间15-25min。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述压型处理之前，对所述掺杂钼粉过120-160目筛，取筛下粉末进行压型处理。14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述烧结处理采用中频炉烧结，得到掺杂钼烧结板坯，烧结温度为1920-1950℃，烧结时间为2～8小时；所述轧制处理采用热轧，得到