一种电磁真空退火炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106498129A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610852538.4(22)申请日2016.09.26(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人胡凡陈特超(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人周长清徐好(51)Int.Cl.C21D1/04(2006.01)C21D1/773(2006.01)C21D9/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种电磁真空退火炉(57)摘要本发明公开了一种电磁真空退火炉，包括真空腔体及位于真空腔体内的样品架，还包括位于所述真空腔体内的隔热屏、至少一组红外灯管组件和两块用于产生磁场的磁极，所述样品架和所述红外灯管组件位于所述隔热屏内，两块所述磁极位于所述隔热屏外且对称布置于所述样品架两侧，本发明具有升降温速率快、污染小、加热过程不影响腔体内磁场分布等优点。CN106498129ACN106498129A权利要求书1/1页1.一种电磁真空退火炉，包括真空腔体(1)及位于真空腔体(1)内的样品架(2)，其特征在于：还包括位于所述真空腔体(1)内的隔热屏(3)、至少一组红外灯管组件(4)和两块用于产生磁场的磁极(5)，所述样品架(2)和所述红外灯管组件(4)位于所述隔热屏(3)内，两块所述磁极(5)位于所述隔热屏(3)外且对称布置于所述样品架(2)两侧。2.根据权利要求1所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述隔热屏(3)包括一对平板(31)和一对圆弧板(32)，一对平板(31)位于两块磁极(5)之间，圆弧板(32)两端分别与一块平板(31)连接，所述红外灯管组件(4)设有两组并对称布置于样品架(2)两侧，两组红外灯管组件(4)位于一对圆弧板(32)之间，红外灯管组件(4)包括多根红外灯管(41)，各红外灯管(41)中心至所述样品架(2)中心的距离相等，且相邻两根红外灯管(41)之间的中心距距离相等。3.根据权利要求2所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述真空腔体(1)配设有腔体门(6)，其中一组红外灯管组件(4)固设于所述真空腔体(1)内，另一组红外灯管组件(4)安装于所述腔体门(6)上。4.根据权利要求2所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述平板(31)和圆弧板(32)均为镜面不锈钢板。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述真空腔体(1)外安装有用于在两块磁极(5)之间产生水平磁场的触发装置(7)，所述触发装置(7)包括连接板(71)及两组触发组件(72)，两组触发组件(72)与两块磁极(5)一一对应设置，所述触发组件(72)包括密封法兰(721)、圆柱件(722)及绕设于圆柱件(722)上的螺旋线圈(723)，所述磁极(5)为板状件，所述圆柱件(722)与磁极(5)焊接，圆柱件(722)与所述真空腔体(1)之间通过所述密封法兰(721)密封，所述连接板(71)连接于两组触发组件(72)的圆柱件(722)之间。6.根据权利要求5所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述磁极(5)和所述圆柱件(722)内均设有水冷腔(73)并相互贯通，所述螺旋线圈(723)配设有风冷装置。7.根据权利要求6所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述磁极(5)表面镀镍。8.根据权利要求1至4中任一项所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述样品架(2)包括底板(21)、顶板(22)及三根呈三角形布置的支撑杆(23)，三根支撑杆(23)上均开设有多个用于放置样品(8)的凹槽(231)，其中两根支撑杆(23)上下两端分别与底板(21)和顶板(22)固定连接，所述顶板(22)上开设有卡槽(221)，另一根支撑杆(23)下端与底板(21)铰接，上端通过紧固件(222)锁紧于所述卡槽(221)内。9.根据权利要求1至4中任一项所述的电磁真空退火炉，其特征在于：还包括位于所述隔热屏(3)内的测温装置(9)，所述测温装置(9)与温控仪连接，所述温控仪位于所述真空腔体(1)外。10.根据权利要求9所述的电磁真空退火炉，其特征在于：所述测温装置(9)为热电偶，所述热电偶的热端与样品架(2)上的样品(8)接触，热电偶的冷端与所述温控仪连接。2CN106498129A说明书1/4页一种电磁真空退火炉技术领域[0001]本发明涉及用于半导体加工的热处理设备，尤其涉及一种电磁真空退火炉。背景技术[0002]电磁真空退火炉是在真空状态下对样品加热，防止样品在高温下被氧化或污染，通过加热—保温—降温的时间控制，实现对样品的退火，使样品内部或表面膜材的内应力得到释放，使材料的性能得到稳定；对于磁性