半导体微波炉的控制方法和半导体微波炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106604436A(43)申请公布日2017.04.26(21)申请号201611263051.9(22)申请日2016.12.30(71)申请人广东美的厨房电器制造有限公司地址528311广东省佛山市顺德区北滘镇永安路6号申请人美的集团股份有限公司(72)发明人刘民勇史龙贺财兴(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人张大威(51)Int.Cl.H05B6/68(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称半导体微波炉的控制方法和半导体微波炉(57)摘要本发明公开了一种半导体微波炉的控制方法和半导体微波炉，该半导体微波炉包括信号源和功率放大器，该信号源连接该功率放大器，该信号源用于输出功率信号至该功率放大器，该半导体微波炉的控制方法包括以下步骤：检测该功率放大器的入射功率；当判断该入射功率连续大于第一设定阈值的时长大于第一时长时，降低该信号源所输出的该功率信号的功率后再判断该入射功率是否大于该第一设定阈值；若是，停止该功率放大器工作。上述半导体微波炉的控制方法，通过检测功率放大器的入射功率，以判断是否停止功率放大器工作，进而在异常情况下，保护了功率放大器及提高了功率放大器的可靠性。CN106604436ACN106604436A权利要求书1/2页1.一种半导体微波炉的控制方法，该半导体微波炉包括信号源和功率放大器，该信号源连接该功率放大器，该信号源用于输出功率信号至该功率放大器，其特征在于，该半导体微波炉的控制方法包括以下步骤：检测该功率放大器的入射功率；当判断该入射功率连续大于第一设定阈值的时长大于第一时长时，降低该信号源所输出的该功率信号的功率后再判断该入射功率是否大于该第一设定阈值；若是，停止该功率放大器工作。2.如权利要求1所述的半导体微波炉的控制方法，其特征在于，该第一设定阈值为该功率放大器的额定输出功率。3.如权利要求1所述的半导体微波炉的控制方法，其特征在于，该信号源包括多个频率相位组合，该频率相位组合包括频率、相位和频率与相位，该半导体微波炉的控制方法还包括步骤：检测该功率放大器的反射功率；当判断该反射功率连续大于第二设定阈值的时长大于第二时长时，调整该频率相位组合以调整该反射功率；判断调整后，大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量是否大于第三设定阈值；若大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量大于该第三设定阈值，停止该半导体微波炉工作；若大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量不大于该第三设定阈值，以不大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合控制该半导体微波炉继续工作。4.如权利要求3所述的半导体微波炉的控制方法，其特征在于，还包括步骤：从不大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的所有该频率相位组合中，选择该反射功率最小所对应的该频率相位组合来控制该半导体微波炉继续工作。5.如权利要求1所述的半导体微波炉的控制方法，其特征在于，还包括步骤：在该入射功率不大于该第一设定阈值时，控制该功率放大器继续工作。6.一种半导体微波炉，其特征在于，包括控制模块、检测模块、信号源及功率放大器，该控制模块连接该信号源和该检测模块，该信号源连接该功率放大器并用于输出功率信号至该功率放大器，该检测模块连接该功率放大器；该检测模块用于检测该功率放大器的入射功率；该控制模块用于：在判断该入射功率连续大于第一设定阈值的时长大于第一时长时，降低该信号源所输出的该功率信号的功率后再判断该入射功率是否大于该第一设定阈值；若是，停止该功率放大器工作。7.如权利要求6所述的半导体微波炉，其特征在于，该第一设定阈值为该功率放大器的额定输出功率。8.如权利要求6所述的半导体微波炉，其特征在于，该信号源包括多个频率相位组合，该频率相位组合包括频率、相位和频率与相位；2CN106604436A权利要求书2/2页该检测模块用于检测该功率放大器的反射功率；该控制模块用于：当判断该反射功率连续大于第二设定阈值的时长大于第二时长时，调整该频率相位组合以调整该反射功率；判断调整后，大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量是否大于第三设定阈值；若大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量大于该第三设定阈值，停止该半导体微波炉工作；若大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合的数量不大于该第三设定阈值，以不大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的该频率相位组合控制该半导体微波炉继续工作。9.如权利要求8所述的半导体微波炉，其特征在于，该控制模块用于：从不大于该第二设定阈值的该反射功率所对应的所有该频率相位组合中，选择该反射功率最