碲靶的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107117588A(43)申请公布日2017.09.01(21)申请号201710303585.8(22)申请日2017.05.03(71)申请人清远先导材料有限公司地址511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B(72)发明人文崇斌朱刘胡智向曾成亮(51)Int.Cl.C01B19/02(2006.01)C04B35/01(2006.01)C04B35/515(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称碲靶的制备方法(57)摘要本发明涉及一种碲靶的制备方法，包括如下步骤：S1：将碲制备成负325目粉末；S2：将碲粉末装入一模具中，并将模具放入真空热压炉中，对粉体预压；S3：预压后对真空热压炉进行抽真空，真空热压炉开启加热，以一定的升温速率升温至300～400℃，并保温，保温时间为T1；S4：真空热压炉降温，当温度降到150～200℃后，把压力降为20～25Mpa；S5：真空热压炉继续降温，当温度降到室温后，开炉门，泄压脱模后，得到碲靶。本发明碲靶的制备方法步骤简单，所制备得到的碲靶的致密度高，十分接近碲靶的理论致密度，是制备碲靶的一种值得推广的方法。CN107117588ACN107117588A权利要求书1/1页1.一种碲靶的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：将碲制备成负325目粉末；S2：将碲粉末装入一模具中，并将模具放入真空热压炉中，对粉体预压；S3：预压后对真空热压炉进行抽真空，真空热压炉开启加热，以一定的升温速率升温至300～400℃，并保温，保温时间为T1；S4：真空热压炉降温，当温度降到150～200℃后，把压力降为20～25Mpa；S5：真空热压炉继续降温，当温度降到室温后，开炉门，泄压脱模后，得到碲靶。2.根据权利要求1所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S3中，包括S31：当升温到最高温度后，保温一段时间T2，开始加压并保持一段时间T3。3.根据权利要求2所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S31的升温速率为2～10℃/min，保温时间T2为1～3h。4.根据权利要求2所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S31中，加压压力为40～60Mpa，保持时间T3为20～40min。5.根据权利要求1所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S2中，预压压力为20～35Mpa。6.根据权利要求1所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S3中，保温时间T1为5～10min。7.根据权利要求1所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述S1中，抽真空直至绝对真空度小于10pa。8.根据权利要求1所述的碲靶的制备方法，其特征在于：所述模具为石墨模具。2CN107117588A说明书1/3页碲靶的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种靶材的制备方法，尤其涉及一种碲靶的制备方法。背景技术[0002]碲有晶体和非晶体两种同素异形体。非晶体碲为黑色粉末，晶体碲为银白色。碲兼具金属性和非金属性的特性，金属性质比硫和硒强；碲主要用作制备合金和半导体材料。碲及其许多合金和金属间化合物都具有半导体性能和温差电性能。碲的薄膜呈红棕色到紫色，能透过红外线而不透过可见光，通常也用于薄膜光伏和电子行业。[0003]靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源，靶材的致密度对薄膜的质量有很大的影响，尚未有涉及碲靶的制备方法的现有技术为公众所知。[0004]本发明旨在发明一种致密度大的碲靶的制备方法。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种致密度大的碲靶的制备方法。[0006]为实现前述目的，本发明采用如下技术方案：一种碲靶的制备方法，包括如下步骤：S1：将碲制备成负325目粉末；S2：将碲粉末装入一模具中，并将模具放入真空热压炉中，对粉体预压；S3：预压后对真空热压炉进行抽真空，真空热压炉开启加热，以一定的升温速率升温至300～400℃，并保温，保温时间为T1；S4：真空热压炉降温，当温度降到150～200℃后，把压力降为20～25Mpa；S5：真空热压炉继续降温，当温度降到室温后，开炉门，泄压脱模后，得到碲靶。[0007]作为本发明的进一步改进，所述S3中，包括S31：当升温到最高温度后，保温一段时间T2，开始加压并保持一段时间T3。[0008]作为本发明的进一步改进，所述S31的升温速率为2～10℃/min，保温时间T2为1～3h。[0009]作为本发明的进一步改进，所述S31中，加压压力为40～60Mpa，保持时间T3为20～40min。[0010]作为本发明的进一步改进，所述S2中，预压压力为20～35Mpa。[0011]作为本发明的进