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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107479613A(43)申请公布日2017.12.15(21)申请号201710596491.4(22)申请日2017.07.20(71)申请人浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司地址312017浙江省绍兴市世纪西街3号(72)发明人赵礼荣王飞刘凯周宇(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人刘丹黄健(51)Int.Cl.G05F1/569(2006.01)G05B19/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称上电保护电路和电磁炉(57)摘要本发明提供一种上电保护电路和电磁炉,上电保护电路包括:开关电源模块、控制模块、IGBT驱动电路、反相器和供电开关;开关电源模块的第一输出接口与控制模块的供电接口连接,控制模块的输出接口与IGBT驱动电路的输入接口之间连接有反相器;开关电源模块的第二输出接口与IGBT驱动电路的供电接口之间连接有供电开关,供电开关还与控制模块的输入输出IO接口连接;IGBT驱动电路的输出接口用于连接IGBT。本发明提供的上电保护电路,控制模块通过IO接口输出的高电平信号或者低电平信号控制供电开关的导通或者关断,进而控制IGBT驱动电路是否工作,在上电过程中为IGBT提供了保护。CN107479613ACN107479613A权利要求书1/1页1.一种上电保护电路(100),其特征在于,包括:开关电源模块(11)、控制模块(12)、绝缘栅双极型晶体IGBT驱动电路(13)、反相器(14)和供电开关(15);所述开关电源模块(11)的第一输出接口与所述控制模块(12)的供电接口连接,所述控制模块(12)的输出接口与所述IGBT驱动电路(13)的输入接口之间连接有所述反相器(14);所述开关电源模块(11)的第二输出接口与所述IGBT驱动电路(13)的供电接口之间连接有所述供电开关(15),所述供电开关(15)还与所述控制模块(12)的输入输出IO接口连接;所述IGBT驱动电路(13)的输出接口用于连接IGBT;所述开关电源模块(11)通过所述第一输出接口为所述控制模块(12)供电,通过所述第二输出接口在所述供电开关(15)导通时为所述IGBT驱动电路(13)供电;所述控制模块(12)通过所述控制模块(12)的输出接口向所述IGBT驱动电路(13)输出驱动信号,通过所述IO接口输出的高电平信号或者低电平信号控制所述供电开关(15)的导通或者关断。2.根据权利要求1所述的上电保护电路(100),其特征在于,所述控制模块(12)包括可编程脉冲发生器PPG模块,所述控制模块(12)的输出接口为PPG接口。3.根据权利要求1所述的上电保护电路(100),其特征在于,与所述供电开关(15)连接的IO接口为多个。4.根据权利要求1所述的上电保护电路(100),其特征在于,与所述供电开关(15)连接的IO接口为复用接口。5.根据权利要求4所述的上电保护电路(100),其特征在于,与所述供电开关(15)连接的IO接口还用于控制风扇的打开与关闭。6.根据权利要求1至5任一项所述的上电保护电路(100),其特征在于,所述反相器(14)包括三极管。7.根据权利要求1至5任一项所述的上电保护电路(100),其特征在于,所述供电开关(15)包括三极管或者继电器。8.一种电磁炉,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的上电保护电路(100)。2CN107479613A说明书1/3页上电保护电路和电磁炉技术领域[0001]本发明涉及家用电器技术领域,尤其涉及一种上电保护电路和电磁炉。背景技术[0002]绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是电磁炉的重要组成部分。然而,由于IGBT是一个大功率的功率管,在电磁炉上电的瞬间,若IGBT得到错误的驱动信号,使得流入IGBT的电流过大,容易使得IGBT击穿而损坏,从而导致电磁炉损坏。因此,在电磁炉上电时需要对IGBT进行上电保护。[0003]目前,对IGBT的上电保护通常通过从市电采样信号来关闭IGBT。但是,通过市电获得采样信号需要的元件较多,导致上电保护电路复杂,容易出现故障。发明内容[0004]为了解决背景技术中提到的至少一个问题,本发明提供一种上电保护电路和电磁炉,在上电过程中可以为IGBT提供保护。[0005]为了实现上述目的,本发明提供一种上电保护电路,包括开关电源模块、控制模块、IGBT驱动电路、反相器和供电开关;所述开关电源模块的第一输出接口与所述控制模块的供电接口连接,所述控制模块的输出接口与所述IGBT驱动电路的输入接口之间连接有所述反相器;所述开关电源模块的第二输出接口与所述IGBT驱动电路的