一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108383125A(43)申请公布日2018.08.10(21)申请号201810454678.5(22)申请日2018.05.14(71)申请人亚洲硅业（青海）有限公司地址810000青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号(72)发明人王生红曹玲玲鲍守珍蔡延国宗冰李彦董海涛王体虎(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人符莹莹(51)Int.Cl.C01B33/107(2006.01)C01B33/027(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法(57)摘要本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。CN108383125ACN108383125A权利要求书1/2页1.一种制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述制备高纯三氯氢硅的装置包括用于制备三氯氢硅的制备装置、用于过滤杂质的过滤装置、用于检测三氯氢硅的检测评价装置以及用于生成多晶硅棒的还原炉；所述过滤装置一端与所述制备装置通过第一连接管路连通，另一端与所述检测评价装置通过第二连接管路连通；所述检测评价装置与制备装置通过第三连接管路连通；所述检测评价装置与所述还原炉通过第四连接管路连通；所述检测评价装置包括检测装置以及与其电连接的控制装置，当检测装置检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，所述控制装置控制开启所述第四连接管路使纯度达到预设值的三氯氢硅通入所述还原炉内；当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，所述控制装置控制开启所述第三连接管路使纯度未达到预设值的三氯氢硅通入所述制备装置内；其中，所述检测装置包括用于将三氯氢硅还原成多晶硅的还原部及用于检测多晶硅纯度的检测部，所述检测部与所述控制装置电连接。2.根据权利要求1所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述过滤装置包括连通管线及填充于所述连通管线内的过滤材料，所述连通管线一端与所述第一连接管路连通，另一端与所述第二连接管路连通。3.根据权利要求2所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述过滤材料采用树脂吸附柱制成，所述树脂吸附柱内填充有树脂吸附剂。4.根据权利要求3所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述树脂吸附柱可拆卸地设置于所述连通管线内。5.根据权利要求2所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述过滤装置还包括与所述连通管线并联设置的备用管路，所述备用管路内填充有过滤材料，所述备用管路一端与所述第一连接管路连通，另一端与所述第二连接管路连通。6.根据权利要求1所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述制备高纯三氯氢硅的装置还包括与所述检测评价装置并联设置的备用检测评价装置，所述备用检测评价装置一端与所述第三连接管路连通，另一端与所述第四连接管路连通。7.根据权利要求1所述的制备高纯三氯氢硅的装置，其特征在于，所述第一连接管路、所述第二连接管路、所述第三连接管路以及所述第四连接管路均设置有用于控制开关的控制阀。8.一种制备高纯三氯氢硅的方法，其特征在于，所述制备高纯三氯氢硅的方法采用权利要求1至7任意一项所述的制备高纯三氯氢硅的装置，包括：过滤，打开所述第一连接管路以及所述第二连接管路，将制备好的三氯氢硅通入所述过滤装置中进行过滤；并将过滤后的三氯氢硅通入所述检测装置；检测，当检测装置检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，打开所述第四连接管路使纯度达到预设值的三氯氢硅通入所述还原炉内；当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，打开所述第三连接管路使纯度未达到预设值的三氯氢硅通入所述制备装置内。9.根据权利要求8所述的制备高纯三氯氢硅的方法，其特征在于，所述过滤装置包括连通管线及填充于所述连通管线内的过滤材料，所述过滤材料采用树脂吸附柱制成，所述树脂吸附柱内填充有树脂吸附剂。10.根据权利要求9所述的制备高纯三氯氢硅的方法，其特征在于，所述过滤装置还包括与所述连通管线并联设置的备用管路，所述备用管路内填充有过滤材料，所述备用管路2CN108383125A权利要求书2/2页一端与所述第一连接管路连通，