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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108842143A(43)申请公布日2018.11.20(21)申请号201810747275.X(22)申请日2018.07.09(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇云水路1000号(72)发明人季文明牛景豪董晨华刘源(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人刘翔(51)Int.Cl.C23C16/46(2006.01)C30B25/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称外延炉冷却系统及冷却方法(57)摘要本发明提供了一种外延炉冷却系统及冷却方法,所述外延炉冷却系统包括:冷却腔体、温度检测器以及冷却腔体控制器,其中所述冷却腔体用于冷却放置于其内的晶圆,温度检测器用于检测放置于所述冷却腔体内晶圆的温度,并将所述晶圆的实际温度传输至所述冷却腔体控制器,所述冷却腔体控制器具有一预设温度,并实时接收所述实际温度,并将所述实际温度与设定温度进行比较,如果所述实际温度大于所述设定温度,则控制所述冷却腔体继续冷却,如果所述实际温度等于或小于所述设定温度,则控制所述冷却腔体结束冷却,由此可以有效控制所述晶圆的冷却温度而及时结束晶圆的冷却,并通过温度控制提高冷却腔体的产出效率。CN108842143ACN108842143A权利要求书1/2页1.一种外延炉冷却系统,其特征在于,包括:冷却腔体、温度检测器以及冷却腔体控制器,其中,所述冷却腔体用于冷却放置于其内的晶圆;所述温度检测器用于检测放置于所述冷却腔体内晶圆的温度,并将所述晶圆的实际温度传输至所述冷却腔体控制器;所述冷却腔体控制器具有一预设温度,并实时接收所述实际温度,并将所述实际温度与所述预设温度进行比较,如果所述实际温度大于所述预设温度,则控制所述冷却腔体继续冷却;如果所述实际温度等于或小于所述预设温度,则控制所述冷却腔体结束冷却。2.如权利要求1所述的外延炉冷却系统,其特征在于,还包括开门机构,如果所述实际温度等于或小于所述预设温度,所述冷却腔体控制器将结束信息传输至所述开门机构,所述开门机构用于向所述冷却腔体发出开门指令,所述冷却腔体的门打开,结束所述晶圆的冷却。3.如权利要求1所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述冷却腔体包含一上盖板,所述温度检测器设置于所述上盖板上。4.如权利要求3所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述上盖板上设置有可视窗口,所述温度检测装置通过所述可视窗口检测所述晶圆的温度。5.如权利要求4所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述温度检测器为红外温度测试仪。6.如权利要求4所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述可视窗口的材质包含石英,所述可视窗口的形状呈圆形、长方形或正方形。7.如权利要求1所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述冷却腔体包含一冷却台,所述温度检测器设置于所述冷却台上。8.如权利要求7所述的外延炉冷却系统,其特征在于,在所述冷却台上设置有孔洞,所述温度检测器位于所述孔洞内。9.如权利要求8所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述温度检测器为温度传感器。10.如权利要求9所述的外延炉冷却系统,其特征在于,所述温度传感器靠近所述晶圆的一面的材质包含石英或玻璃碳。11.一种使用如权利要求1~10中任一项所述的外延炉冷却系统冷却晶圆的方法,其特征在于,包括:所述冷却腔体控制器接收一预设温度;在所述冷却腔体内放置晶圆;所述温度检测器检测所述晶圆的温度,并将所述晶圆的实际温度传输至所述冷却腔体控制器;所述冷却腔体控制器将所述实际温度与所述预设温度进行比较,如果所述实际温度大于所述预设温度,则控制所述冷却腔体继续冷却;如果所述实际温度等于或小于所述预设温度,则控制所述冷却腔体结束冷却。12.如权利要求11所述的冷却方法,其特征在于,所述实际温度等于或小于所述预设温度时,所述方法还包括:所述冷却腔体控制器将结束信息传输至开门机构,所述开门机构向所述冷却腔体发出2CN108842143A权利要求书2/2页开门指令,所述冷却腔体的门打开,结束所述晶圆的冷却。3CN108842143A说明书1/5页外延炉冷却系统及冷却方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种外延炉冷却系统及冷却方法。背景技术[0002]外延工艺是生产集成电路的关键工序之一,采用外延设备完成外延工艺之后,需要采用冷却腔体对硅片进行降温,以节省冷却的时间,并便于进行后续工艺。[0003]目前,外延炉的冷却腔体是通过一个计时器,按固定的时间来控制硅片从冷却台传送进出时间,并无法侦测硅片的冷却速率以及硅片实际的温度,不能满足外延产品的质量需求及设备产出效率的要求。发明内容[