炉管排气系统及其检漏方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109115419A(43)申请公布日2019.01.01(21)申请号201811014904.4(22)申请日2018.08.31(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人耿耀庭(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.G01M3/14(2006.01)C23C16/44(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称炉管排气系统及其检漏方法(57)摘要本发明涉及一种炉管排气系统及其检漏方法，通过在排气管道上安装调节器以控制动力单元的排气压力保持正压，利用检漏液检测第一连接管的两端及第二连接管的两端并观察是否存在漏点，消除了每次更换收集单元后可能泄漏的风险，很大程度上避免了设备在运行过程中由于收集单元漏出有毒有害气体而造成的潜在风险。CN109115419ACN109115419A权利要求书1/1页1.一种炉管排气系统，其特征在于，包括一排气管道以及与所述排气管道依次连通的动力单元和收集单元，所述动力单元及所述收集单元通过第一连接管连接，所述收集单元通过第二连接管与一排气处理单元连接，所述动力单元将流经所述排气管道的气体泵送至所述收集单元中，所述收集单元收集所述气体中的副产物，所述排气处理单元将剩余的气体处理后排出，且所述排气管道上设置有一调节器，用于调节所述动力单元的排气压力。2.如权利要求1所述的炉管排气系统，其特征在于，所述炉管排气系统还包括一控制单元，所述控制单元与所述动力单元连接以检测所述动力单元的排气压力。3.如权利要求1所述的炉管排气系统，其特征在于，所述第一连接管与所述第二连接管均为波纹管。4.如权利要求1所述的炉管排气系统，其特征在于，所述第一连接管的两端分别与所述动力单元及所述收集单元可拆卸连接，所述第二连接管的两端分别与所述收集单元及所述排气处理单元可拆卸连接。5.如权利要求1所述的炉管排气系统，其特征在于，所述排气管道的侧壁上设置有一预留接口，所述调节器设置于所述预留接口上。6.如权利要求5所述的炉管排气系统，其特征在于，所述调节器通过密封圈和夹具与所述预留接口连接。7.如权利要求6所述的炉管排气系统，其特征在于，所述调节器为控制手阀。8.如权利要求2所述的炉管排气系统，其特征在于，所述控制单元上设置有控制按钮，用于控制所述动力单元的启动或停止。9.如权利要求8所述的炉管排气系统，其特征在于，所述控制单元上还设置有显示器，用于显示所述动力单元的排气压力值。10.一种如权利要求1-9中任一项所述的炉管排气系统的检漏方法，其特征在于，包括：封闭排气管道的端口并启动动力单元，通过调节调节器使所述动力单元的排气压力保持正压；向第一连接管的两端及第二连接管的两端喷洒检漏液；通过判断喷洒检漏液的位置上是否有气泡冒出以判定所述炉管排气系统是否产生了泄漏。2CN109115419A说明书1/4页炉管排气系统及其检漏方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种炉管排气系统及其检漏方法。背景技术[0002]晶圆制造制程的主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件，基本步骤通常是晶圆经过适当的清洗之后，接着进行氧化和沉积，最后进行微影、蚀刻及离子注入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。其中，氧化工艺的具体过程为当晶圆经过适当的清洗之后，送到炉管设备内，在含氧的环境中，以加热氧化的方式在晶圆的表面形成一层二氧化硅层，紧接着氮化硅层将以化学气相沉积的方式沉积在刚刚形成的二氧化硅层上，之后整个晶圆将进行微影的制程。[0003]炉管设备中的氮化硅工艺等因为副产物(主要为氯化铵)较多，故而在泵体后端设置冷阱以吸附副产物。为防止由于冷阱长期使用后造成冷阱堵塞，使泵体排气压力过高而报警，因此需要定期更换冷阱。目前，冷阱更换完毕后并没有对其连接部位进行泄漏检测，且泵体与冷阱连接部位之间的波纹管弯曲度很大，表面坑洼，状况不佳，无法确认更换后是否有泄漏，因此无法避免设备在运行过程中由冷阱漏出的有毒有害气体造成的潜在危害。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种炉管排气系统及其检漏方法，能够避免每次更换冷阱完毕后可能泄漏的风险。[0005]为了达到上述目的，本发明提供了一种炉管排气系统，包括一排气管道以及与所述排气管道依次连通的动力单元和收集单元，所述动力单元及所述收集单元通过第一连接管连接，所述收集单元通过第二连接管与一排气处理单元连接，所述动力单元将流经所述排气管道的气体泵送至所述收集单元中，所述收集单元收集所述气体中的副产物，所述排气处理单元将剩余的气体处理后排出，且所述排气管道上设置有一