氯化氢合成炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109399566A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201710710699.4(22)申请日2017.08.18(71)申请人十堰思远农林科技有限公司地址442000湖北省十堰市茅箭区天津路17号14幢1-1(72)发明人郑辉(51)Int.Cl.C01B7/01(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称氯化氢合成炉(57)摘要本发明公开了一种氯化氢合成炉，属于化工设备领域。所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈。本发明通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热而开裂；通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈，克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点，提高了设备的使用寿命。CN109399566ACN109399566A权利要求书1/1页1.一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；其特征在于，所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面；所述限位圈设置在所述石墨层的上端部；所述限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm。2.根据权利要求1所述的氯化氢合成炉，其特征在于，所述石墨炉体底部设置有下集水箱、与下集水箱相邻设置的进水短节；所述石墨炉体内设置有下弧板、内盘管、挡板；所述石墨炉体顶部设置有上弧板、上集水箱、与上集水箱相邻设置的出水短节；所述下弧板、所述内盘管、所述上弧板组合在一起就形成三级缓冲弧。3.根据权利要求2所述的氯化氢合成炉，其特征在于，所述内盘管具有R=2000mm的部分弧形，所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm的弧形。2CN109399566A说明书1/2页氯化氢合成炉[0001]技术领域[0002]本发明涉及化工设备领域，特别涉及一种氯化氢合成炉。[0003]背景技术[0004]氯化氢是一种重要的化工原料，在三氯氢硅合成反应中是必不可少原料。传统的氯化氢合成炉是使氯气和氢气在炉体底部的灯头处燃烧，反应生成氯化氢气体。由于在合成反应中不可避免地会产生水，而氯化氢气体溶入水后便成为了盐酸。[0005]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：当炉体底部的酸液聚集多了的时候，酸液将会把点火的灯头及固定点火灯头的法兰接管腐蚀掉，从而引起设备的早期损坏。[0006]发明内容[0007]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种氯化氢合成炉。所述技术方案如下：本发明实施例提供了一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面；所述限位圈设置在所述石墨层的上端部；所述限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm。[0008]具体地，所述石墨炉体底部设置有下集水箱、与下集水箱相邻设置的进水短节；所述石墨炉体内设置有下弧板、内盘管、挡板；所述石墨炉体顶部设置有上弧板、上集水箱、与上集水箱相邻设置的出水短节；所述下弧板、所述内盘管、所述上弧板组合在一起就形成三级缓冲弧。[0009]具体地，所述内盘管具有R=2000mm的部分弧形，所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm的弧形。[0010]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热而开裂；通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈，克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点，提高了设备的使用寿命。3CN109399566A说明书2/2页[0011]附图说明[0012]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0013]图1是本发明实施例提供的氯化氢合成炉的结构示意图；图2是本发