一种新型半导体线路制作工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109962008A(43)申请公布日2019.07.02(21)申请号201711437889.X(22)申请日2017.12.26(71)申请人东莞市广信知识产权服务有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新城路大学创新城D-1栋2楼229室(72)发明人刘丽蓉(74)专利代理机构深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙)44351代理人韩绍君(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种新型半导体线路制作工艺(57)摘要本发明公开了一种新型半导体线路制作工艺，包括如下步骤：S1、表面清洗：晶圆表面附着着一层大约2微米的AL302和甘油混合保护液，在制作前必须进行化学蚀刻和表面清洗，有热氧化法生成SI02缓冲层减小后续中si3n4对晶圆的应力；S2、NPCVD：NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉反应后的气体回收装置等所构成，其中中心部分为反应炉；S3、涂敷光刻胶：光刻制造过程中，往往需采用20-30道光刻工序，将IC做到半导体上是因为，半导体的特性，在现有的工艺条件下，可以实现电路的微小型，低功耗和高可靠度，具有很好的推广价值。CN109962008ACN109962008A权利要求书1/1页1.一种新型半导体线路制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、表面清洗：晶圆表面附着着一层大约2微米的AL302和甘油混合保护液，在制作前必须进行化学蚀刻和表面清洗，有热氧化法生成SI02缓冲层减小后续中si3n4对晶圆的应力；S2、NPCVD：NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉反应后的气体回收装置等所构成，其中中心部分为反应炉；S3、涂敷光刻胶：光刻制造过程中，往往需采用20-30道光刻工序，现在技术主要采有紫外线为光源的光刻技术。光刻工序包括翻版图形掩膜制造，硅基片表面光刻胶的涂敷、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀、以及光刻胶去除等工序；S4、显影：将显影液全面地喷在光刻胶上，或将曝光后的样片浸在显影液中几十秒钟，则正型光刻胶的曝光部分或负胶的未曝光部分被溶解。显影后的图形精度受显影液的浓度，温度以及显影的时间等影响。显影后用纯水清洗；S5、腐蚀：经过上述工序后，以复制到光刻胶上的集成电路的图形作为掩模，对下层的材料进行腐蚀。腐蚀技术是利用化学腐蚀法把材料的某一部分去除的技术。腐蚀技术分为两大类：湿法腐蚀—进行腐蚀的化学物质是溶液；干法腐蚀一般称刻蚀进行的化学物质是气体；S6、光刻胶的去除：经腐蚀完成图形复制以后，再用剥离液去除光刻胶，完成整个光刻工序，可以用无机溶液如硫酸或干式臭氧烧除法将光阻去除；S7、退火处理：然后用HF去除SiO2干法氧化法生成一层SiO2层，LPCVD沉积一层氮化硅，此时P阱的表面因SiO2层的生长与刻蚀已低于N阱的表面水平面。这里的SiO2层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。S8、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层，湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区，热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜，作为栅极氧化层；S9、LPCVD：沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。沉积掺杂硼磷的氧化层含有硼磷杂质的SiO2层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG)加热到800℃时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。2.根据权利要求1所述的一种新型半导体线路制作工艺，其特征在于：溅镀第一层金属：利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+氮化钛+铝+化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构并用PECVD在上面沉积一层SiO2介电质。并用SOG使表面平坦，加热去除SOG中的溶剂。然后再沉积一层介电质，为沉积第二层金属作准备。3.根据权利要求1所述的一种新型半导体线路制作工艺，其特征在于：光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀，定出PAD位置最后