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一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置.pdf
2023-06-16
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一种新型隔热材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体生长设备技术领域，具体包括设备壳体：设备壳体顶端设置有顶温层升降器，顶温层升降器的活动端与顶部保温层固定连接，设备壳体底端设置有一组底温层升降器，低温层升降器与底部保温层固定连接，设备壳体下方还设置有一组坩埚升降器，坩埚升降器穿过底部保温层升降器和底部保温层与坩埚托盘固定连接，坩埚托盘上设置有生长坩埚，生长坩埚周围设置有坩埚加热器，坩埚加热器的外端设置有侧面保温层；本发明操作简单，可以精确的保证在同一炉次同一坩埚位置得到期望的坩埚顶和坩埚底的温差.为工艺
2023-06-16
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本发明专利公开了一种用于AlN单晶生长扩径的PVT装置,属于晶体生长技术领域。该装置包括一坩埚，为生长提供腔室，坩埚放置到炉体并封闭炉体，抽真空和充高纯氮气，坩埚盖上表面边缘承载两段式气氛空腔结构，同时坩埚盖下表面固定籽晶托和籽晶，两段式气氛空腔结构将坩埚盖上表面边缘的传热方式转变，从而利用气氛较低的热导率增大坩埚盖边缘处的温度梯度，使籽晶处的径向温梯增大至适合其侧向扩径生长。本发明可以实现AlN单晶的高效扩径，获得高质量的AlN籽晶或衬底。
2023-06-15
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2023-06-17
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2023-06-17
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2023-06-19
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