一种有机半导体材料溶剂退火炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110438570A(43)申请公布日2019.11.12(21)申请号201910683634.4(22)申请日2019.07.26(71)申请人有研工程技术研究院有限公司地址101407北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号(72)发明人李明亮李硕王国治魏峰(74)专利代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司11246代理人黄家俊(51)Int.Cl.C30B33/02(2006.01)H01L51/48(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种有机半导体材料溶剂退火炉(57)摘要本发明公开了有机半导体材料加工技术领域的一种有机半导体材料溶剂退火炉。所述退火炉由溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体两部分组成。其中，溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层，容器固定层底侧设置基底固定凹槽，用于固定样品基底，溶剂退火炉主体为四个侧板和一个底板围成的立方体，四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。本发明可以对使用旋涂法沉积在基底表面的有机半导体分子在溶剂气氛下退火，进行分子构象和排布方面的优化，并精确控制退火条件获得更加优异的半导体性能。本发明操作简单、安全，尤其在有机半导体材料实验室研发和工业化生产等方面具有较大商业价值。CN110438570ACN110438570A权利要求书1/1页1.一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述退火炉包括：溶剂退火炉密封盖(1)和溶剂退火炉主体(2)，所述溶剂退火炉密封盖(1)包括上、下连接的容器密封层(101)和容器固定层(102)，所述容器固定层(102)底侧设置基底固定凹槽(103)；容器密封层(101)外侧周向尺寸≥溶剂退火炉主体(2)外侧周向尺寸，容器固定层(102)的尺寸与退火炉主体(2)内围匹配，达到溶剂退火炉主体(2)和溶剂退火炉密封盖(1)密封效果；所述溶剂退火炉主体(2)为四个侧板和一个底板围成的立方体，四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。2.根据权利要求1所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，样品基底固定在所述基底固定凹槽(103)内，且能在基底固定凹槽(103)内滑动。3.根据权利要求2所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，沿着样品基底的滑动方向，在所述基底固定凹槽(103)两侧均设置卡条(104)，以固定样品基底。4.根据权利要求1所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述基底固定凹槽(103)尺寸与样品基底尺寸相匹配。5.根据权利要求4所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述基底固定凹槽(103)长度为100mm、135mm、200mm或268mm，所述样品基底尺寸为3寸、4寸、6寸或8寸。6.根据权利要求1所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述侧板高度均为30～50mm，所述侧板和底板厚度为1.5mm。7.根据权利要求1所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述底板长度为120mm、150mm、230mm或270mm，所述容器密封层(101)厚度为3mm，所述容器固定层(102)厚度3～5mm。8.根据权利要求1所述一种有机半导体材料溶剂退火炉，其特征在于，所述溶剂退火炉密封盖(1)为聚四氟乙烯材料，所述溶剂退火炉主体(2)为石英材料。2CN110438570A说明书1/3页一种有机半导体材料溶剂退火炉技术领域[0001]本发明属于有机半导体材料加工领域，尤其涉及一种有机半导体材料溶剂退火炉。背景技术[0002]有机半导体材料由于功能性强、加工制备简单，可以广泛应用于光电材料，并且在越来越多的领域有广泛的应用。然而通常直接使用旋涂法获得的有机半导体材料薄膜性能较差，需要进一步加工优化才能获得更优异的性能，其中溶剂退火就是一种低成本、高效率的方法。溶剂退火为有机半导体材料提供特定的溶剂气氛，从而改变有机分子的分子构成及元素成分，使得有机材料的性能在很大范围内进行调整，其性能更满足于实际应用的要求。然而目前为止没有针对有机薄膜材料溶剂退火处理使用的退火装置，简易的装置对退火程度和退火质量缺乏把握和标准，因而远远不能满足目前的研发和生产要求。因此，为了解决上述技术问题，迫切需要一种专门用于溶剂退火的新型有机半导体溶剂退火炉。发明内容[0003]本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种有机半导体材料溶剂退火炉，包括：溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体；[0004]所述溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层，所述容器固定层底侧设置基底固定凹槽；[0005]所述容器密封层外侧周向尺寸≥溶剂退火炉主体外侧周向尺寸，容器固定层的尺寸与退火炉主体内围匹配，达到溶剂退火