腔室密封组件及生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111058093A(43)申请公布日2020.04.24(21)申请号201811201774.5(22)申请日2018.10.16(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人冯祥雷(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣张天舒(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)C30B25/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称腔室密封组件及生长炉(57)摘要本发明提供一种腔室密封组件及生长炉，该腔室密封组件环绕设置在炉膛法兰与反应腔体之间，其包括：密封圈；以及密封隔环，所述密封隔环的轴向两侧均设置有密封圈，用于分隔并支撑密封圈；并且，在密封隔环中设置有第一抽气通道，第一抽气通道的第一端和第二端分别位于密封隔环的内周壁和外周壁上；在炉膛法兰中设置有第二抽气通道，第二抽气通道的第一端与第一抽气通道的第二端连接；第二抽气通道的第二端用于与抽气装置连接。本发明提供的腔室密封组件，其不仅可以避免空气泄入反应腔体中，同时可以提高腔室拆卸维护的效率，避免存在的损坏反应腔体的风险。CN111058093ACN111058093A权利要求书1/1页1.一种腔室密封组件，环绕设置在炉膛法兰与反应腔体之间，其特征在于，包括：密封圈；以及密封隔环，所述密封隔环的轴向两侧均设置有所述密封圈，用于分隔并支撑所述密封圈；并且，在所述密封隔环中设置有第一抽气通道，所述第一抽气通道的第一端和第二端分别位于所述密封隔环的内周壁和外周壁上；在所述炉膛法兰中设置有第二抽气通道，所述第二抽气通道的第一端与所述第一抽气通道的第二端连接；所述第二抽气通道的第二端用于与抽气装置连接。2.根据权利要求1所述的腔室密封组件，其特征在于，所述第一抽气通道包括沿所述密封隔环的周向均匀分布的多个抽气孔，每个所述抽气孔沿所述密封隔环的径向贯通所述密封隔环。3.根据权利要求2所述的腔室密封组件，其特征在于，在所述密封隔环的内周壁上形成有环形凹槽，每个所述抽气孔位于所述环形凹槽中。4.根据权利要求2所述的腔室密封组件，其特征在于，所述抽气孔的直径是所述密封隔环的轴向厚度的四分之一。5.根据权利要求2所述的腔室密封组件，其特征在于，所述抽气孔的数量的取值范围在12～36个。6.根据权利要求2所述的腔室密封组件，其特征在于，所述抽气孔的轴线位于所述密封隔环轴向厚度的中间位置处。7.根据权利要求1所述的腔室密封组件，其特征在于，所述第二抽气通道的第二端位于所述炉膛法兰的外周壁上。8.根据权利要求1-7任意一项所述的腔室密封组件，其特征在于，还包括上垫环和下垫环，二者沿所述反应腔体的轴向间隔设置；所述密封圈为两个，分别位于所述密封隔环的上下两侧；所述密封隔环和所述密封圈均位于所述上垫环和所述下垫环之间。9.一种生长炉，包括反应腔体、上腔膛和下腔膛，所述上腔膛和下腔膛分别套设在所述反应腔体的上端和下端；并且，所述上腔膛和下腔膛均包括由下而上依次叠置的法兰端盖、炉膛法兰和炉膛体；其中，所述炉膛法兰的内周壁与所述反应腔体的外周壁之间具有环形间隙；其特征在于，在所述环形间隙中设置有腔室密封组件，所述腔室密封组件采用权利要求1-8任意一项所述的腔室密封组件。10.根据权利要求9所述的生长炉，其特征在于，所述抽气装置包括真空接头、抽气管路和抽气泵，其中，所述真空接头与所述第二抽气通道的第二端连接；所述抽气管路分别与所述抽气泵和所述真空接头连接。2CN111058093A说明书1/4页腔室密封组件及生长炉技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种腔室密封组件及生长炉。背景技术[0002]碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、高载流子迁移率、高化学稳定性等优良的半导体物理性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电、变电等领域具有巨大的应用价值，被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。[0003]碳化硅单晶材料的生长需要特殊的工艺装备。该工艺装备主要包括生长炉组件、加热组件、气体组件及控制组件等，其中，生长炉组件是关键结构之一。图1为生长炉的结构简图。请参阅图1，生长炉包括反应腔体1、上腔膛2和下腔膛3，上腔膛2和下腔膛3分别自反应腔体1的上端和下端套设在反应腔体1上。并且，在上膛腔2与反应腔体1之间以及下腔膛3与反应腔体1之间设置有密封组件(图中未示出)，以使反应腔体1形成密封腔体。按照目前SiC生长工艺需求，该密闭腔体需要维持较高的真空度水平。[0004]上述密封组件通常包括两个密封隔环和设置在二