一种高温烧结炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111089488A(43)申请公布日2020.05.01(21)申请号201811246104.5(22)申请日2018.10.24(71)申请人汉江弘源襄阳碳化硅特种陶瓷有限责任公司地址441004湖北省襄阳市樊城区民城路7号航天工业园(72)发明人夏志强李秋南刘凯王惠民吴急涛黄涛(74)专利代理机构北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司11129代理人余俊磊(51)Int.Cl.F27D1/00(2006.01)F27D1/10(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图5页(54)发明名称一种高温烧结炉(57)摘要本发明属于工业窑炉技术领域，特别涉及一种高温烧结炉，其包括炉体、炉盖、硅钼棒和用于封闭炉体的炉门，所述炉门设于炉体的前端，所述炉体的左侧壁、后壁和右侧壁设有连成一体的保温墙，所述保温墙朝向炉体内部的一侧设有隔离墙，所述隔离墙与炉门共同形成烧结室，所述隔离墙将硅钼棒与烧结室隔离，硅钼棒不会被烧结所产生的气体腐蚀，使用寿命较长，硅钼棒的使用寿命提高了一倍以上。CN111089488ACN111089488A权利要求书1/1页1.一种高温烧结炉，包括炉体(1)、炉盖(2)、硅钼棒(3)和用于封闭炉体(1)的炉门(4)，所述炉门(4)设于炉体(1)的前端，其特征在于：所述炉体(1)的左侧壁、后壁和右侧壁设有连成一体的保温墙(5)，所述保温墙(5)朝向炉体(1)内部的一侧设有隔离墙(6)，所述隔离墙(6)与炉门(4)共同形成烧结室，所述隔离墙(6)将硅钼棒(3)与烧结室隔离。2.根据权利要求1所述的高温烧结炉，其特征在于：所述硅钼棒(3)设于隔离墙(6)和保温墙(5)之间。3.根据权利要求2所述的高温烧结炉，其特征在于：所述保温墙(5)和隔离墙(6)之间还设有隔灰墙(7)，所述硅钼棒(3)设于隔离墙(6)和隔灰墙(7)之间。4.根据权利要求1所述的高温烧结炉，其特征在于：所述隔离墙(6)的内部具有若干个竖直通道(82)，所述竖直通道(82)内设有硅钼棒(3)。5.根据权利要求2或3或4所述的高温烧结炉，其特征在于：所述硅钼棒(3)排列设置。6.根据权利要求4所述的高温烧结炉，其特征在于：所述隔离墙(6)由多孔砖(8)堆砌而成，所述多孔砖(8)包括砖体(81)和沿砖体厚度方向设置的竖直通道(82)。7.根据权利要求5所述的高温烧结炉，其特征在于：所述砖体采用碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硅结合碳化硅陶瓷或氧化硅结合碳化硅陶瓷制成。8.根据权利要求5所述的高温烧结炉，其特征在于：所述多孔砖(8)呈长方体结构，所述砖体(81)中具有左右两个对称设置的竖直通道(82)。9.根据权利要求6所述的高温烧结炉，其特征在于：所述竖直通道(82)的截面为正方形。10.根据权利要求6所述的高温烧结炉，其特征在于：相邻竖直通道(82)之间的距离为所述竖直通道(82)与砖体(81)外侧壁之间的距离的两倍。2CN111089488A说明书1/3页一种高温烧结炉技术领域[0001]本发明属于工业窑炉技术领域，特别涉及一种高温烧结炉。背景技术[0002]在高温烧结炉中，需要采用电加热的方式来提升窑内温度，常采用硅钼棒作为电加热元件，硅钼棒是二硅化钼为基础制成的耐高温、抗氧化的电阻发热元件。在高温氧化性气氛下使用时，表面生成一层光亮致密的石英(SiO2)玻璃膜，能够保护硅钼棒内层不再氧化，因此硅钼棒元件具有独特的高温抗氧化性。[0003]但是，高温烧结炉在烧结某些材料，例如，将碳化硅颗粒和金属硅粉的混合物，经压制或浇注成型后，置于高温烧结炉中进行氮化烧结时，高温烧结炉内的硅钼棒直接与窑体内气体接触，会产生如下问题：[0004]1、窑内的材料在烧结时，杂质、结合剂等受热分解产生腐蚀性气体，对硅钼棒造成腐蚀；[0005]2、材料烧结完更换时，材料在进出窑过程中产生空气流动，使外界的冷空气与硅钼棒直接接触，硅钼棒受骤冷作用时，表面的氧化皮会收缩，导致氧化皮出现较大的裂纹而出现自动剥落现象，硅钼棒氧化速度变快，使用寿命降低；[0006]3、硅钼棒在加热时会变软，容易变形，当其具有外凸部时，在窑车进出氮化炉的过程中容易被挂断，导致加热效果变差甚至无法使用。上述问题直接导致硅钼棒的使用寿命变短，更换较为频繁。[0007]此外，保温墙设于硅钼棒与氮化炉的钢结构外壁之间，其由直接与窑体内的气体接触的耐火砖制成，耐火砖受杂质气体腐蚀，受热后会产生颗粒细小的粉末或直接由固体升华为气体，这些粉末和气体会随窑内气体的流动而附着在温度较低的待处理材料的表面，导致产品表面发黑，品相较差，同时，这些粉末还会堵塞产品表面的气孔，氮气无法投入产品内部，导致产品氮化不完全，烧结产品质量不达标。发明内容[0008]本