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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111304479A(43)申请公布日2020.06.19(21)申请号202010192512.8B22F3/105(2006.01)(22)申请日2020.03.18B22F9/04(2006.01)(71)申请人南昌航空大学地址330063江西省南昌市丰和南大道696号(72)发明人张建军洪昊梁炳亮陈卫华何文欧阳晟刘靠斌白杨艾云龙(74)专利代理机构南昌洪达专利事务所36111代理人黄文亮(51)Int.Cl.C22C1/05(2006.01)C22C1/10(2006.01)C22C30/00(2006.01)B22F3/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法(57)摘要本发明涉及一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法,将V、Cr、Nb、Mo、W各单质粉末按照以摩尔比1.1~1.3:1:1:1:1进行称量配粉,将称量配粉后的金属元素粉末在球磨罐中均匀混合,球磨介质为水或酒精,采用球磨混料,球磨介质为水或酒精,球磨混合一定时间后取出,并烘干、过筛以及造粒后使用一定压力的冷压成型和冷等静压,将压制好的胚体置于微波炉中烧结,采用一定的升温速率使得胚体达到一定温度后保温,烧结完毕后随炉冷却,本发明制备的高熵合金具有单一体心立方结构,通过原位形成纳米V2O3颗粒均匀分布于VCrNbMoW难熔高熵合金基体中,目的是为了细化VCrNbMoW难熔高熵合金晶粒,从而提高复合材料的力学性能。CN111304479ACN111304479A权利要求书1/1页1.一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法,其特征在于具体步骤为:1)将V、Cr、Nb、Mo、W各单质粉末按照以摩尔比1.1~1.3:1:1:1:1进行称量配粉,将称量配粉后的金属元素粉末在球磨罐中均匀混合,球磨介质为水或酒精,采用球磨混料;2)将步骤1)所得混合粉末烘干、过筛以及造粒后使用一定压力的冷压成型和冷等静压。3)将压制好的胚体置于微波烧结炉中,通过一定的升温速率使得胚体达到一定温度后保温。4)经上述步骤,可得到具有体心立方结构的难熔高熵合金基复合材料。2.如权利要求1所述一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法,其特征在于,球磨时间为12~24h,冷等静压压力为100~300MPa。3.如权利要求1所述一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法,其特征在于,升温速率为5~20℃/min,烧结温度为1400℃~1700℃,保温时间为30~120min,烧结气氛为真空或氩气气氛。2CN111304479A说明书1/3页一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法技术领域[0001]本发明属于难熔高熵合金复合材料制备技术领域,提供了一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法。技术背景[0002]为了提高金属材料的高强韧性能,1995年,叶均蔚教授提出多主元高熵合金理念。与其他合金相比,高熵合金(HEAs)具有高强度、高硬度、高加工硬化、高耐磨、高温稳定性和耐蚀性等优异性能。作为一种潜在的功能材料与工程材料,HEAs在高速切削刀具、模具和核电工程、船舶材料及电池材料等方面具有广泛的应用前景。[0003]高熵合金一般包含5种元素以上,且其含量(原子分数,下同)可在5%~35%范围内进行调节,因此,高熵合金的体系众多。高熵合金按晶体结构可以分为体心立方(BCC)、面心立方(FCC)和密排六方(HCP)。[0004]本发明采用粉末冶金-微波烧结法原位制备第二相V2O3掺杂VCrNbMoW难熔高熵合金。由于纯VCrNbMoW难熔高熵合金属于体心立方(BCC)结构,强韧性不足,脆性较大,无法满足结构材料力学性能的要求。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题是:通过原位形成V2O3纳米颗粒,并均匀分布于VCrNbMoW难熔高熵合金基体中,目的是为了细化VCrNbMoW难熔高熵合金晶粒,从而提高复合材料的力学性能。此高熵合金结构为单一体心立方结构,具有高熔点、高强度、高硬度等特点。[0006]本发明的技术方案是:[0007]本发明涉及一种VCrNbMoW难熔高熵合金制备方法。采用粉末冶金-微波烧结法原位制备了V2O3掺杂VCrNbMoW难熔高熵合金粉体,其物相为单一体心立方结构,具体包括如下步骤:[0008](1)将V、Cr、Nb、Mo、W各单质粉末按照以摩尔比1.1~1.3:1:1:1:1进行称量配粉,将称量配粉后的金属元素粉末在球磨罐中均匀混合,球磨介质为水或酒精,采用球磨混料;[0009](2)将均匀混合好的粉体干燥、过筛和造粒后压制成坯体;[0010](3)在保护气氛下,采用微波烧结炉加热至一定温度并保温一定时间,对胚体进行烧结;[0011