碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法.pdf
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碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其碳化硅单晶生长方法,通过改变石墨坩埚盖的结构,将石墨坩埚盖改成两段式结构,进而将籽晶固定方式由传统的胶粘方式变成机械固定方式,籽晶背面镀上碳膜,通过两段式石墨坩埚盖旋紧固定,籽晶和石墨坩埚盖上层之间根据厚度差可以放入保温石墨毡,石墨坩埚内放入高纯碳化硅粉料,密封的石墨坩埚放入晶体生长炉中,采用物理气相传输法生长碳化硅晶体,晶体生长温度在1950℃‑2550℃,其中衬底温度在2200℃以下,原料温度大于2350℃,惰性气体作为载气,反应室内气压在1‑5kPa之
一种碳化硅单晶体生长装置及其方法.pdf
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一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法.pdf
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一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法.pdf
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单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉.pdf
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