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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111486712A(43)申请公布日2020.08.04(21)申请号202010481591.4(22)申请日2020.06.01(71)申请人青岛赛瑞达电子装备股份有限公司地址266000山东省青岛市李沧区北崂路1022号F楼(72)发明人张海林滕玉朋(51)Int.Cl.F27D1/18(2006.01)F27D7/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种石英双炉门结构(57)摘要本发明公开了一种石英双炉门结构,包括内密封石英炉门、石英包、保温材料、外密封炉门、炉口密封垫、炉门水冷进出水嘴、炉门腔室进气管、双炉门驱动机构安装座、弹性部件、炉门腔室、双腔室石英工艺管、冷却水道和压力平衡气口,所述双腔室石英工艺管的左端设置有炉门腔室,所述炉门腔室的内部设置有内密封石英炉门,所述内密封石英炉门的左端固定安装有石英包。本发明通过对常用的炉门结构进行改进,使其在使用炉门处不会产生双腔室工艺管在工艺过程中的反应物在炉口处积存,最终实现炉口干净而使双炉门的密封效果保持良好、炉口没有反应物积存,也不会阻碍工艺管内完成工艺工作的物料进出顺畅,不浪费清理和维护时间。CN111486712ACN111486712A权利要求书1/1页1.一种石英双炉门结构,包括内密封石英炉门(1)、石英包(2)、保温材料(3)、外密封炉门(4)、炉口密封垫(5)、炉门水冷进出水嘴(6)、炉门腔室进气管(7)、双炉门驱动机构安装座(8)、弹性部件(9)、炉门腔室(10)、双腔室石英工艺管(11)、冷却水道(12)和压力平衡气口(13),其特征在于:所述双腔室石英工艺管(11)的左端设置有炉门腔室(10),所述炉门腔室(10)的内部设置有内密封石英炉门(1),所述内密封石英炉门(1)的左端固定安装有石英包(2),所述石英包(2)的内部设置有保温材料(3),所述石英包(2)的左侧表面固定安装有弹性部件(9),所述炉门腔室(10)的左侧设置有外密封炉门(4),所述外密封炉门(4)的内部设置有炉口密封垫(5),所述外密封炉门(4)的左侧固定安装有炉门水冷进出水嘴(6),所述外密封炉门(4)的内部固定安装有炉门腔室进气管(7),所述外密封炉门(4)的左侧表面固定安装有双炉门驱动机构安装座(8),所述外密封炉门(4)的边缘内部安放有冷却水道(12),所述石英包(2)的内部设置有压力平衡气口(13)。2.根据权利要求1所述的一种石英双炉门结构,其特征在于:所述内密封石英炉门(1)包括石英包(2)和保温材料(3)。3.根据权利要求1所述的一种石英双炉门结构,其特征在于:所述外密封炉门(4)的右侧表面开设有与弹性部件(9)相适配的接口,且二者通过该接口固定安装。4.根据权利要求1所述的一种石英双炉门结构,其特征在于:所述炉门水冷进出水嘴(6)布置在外密封门(4)靠近边缘的直径上,与冷却水道(12)连同,保持下进水上出水顺序;炉门腔室进气管(7)设置在对应炉门腔室(10)的直径范围内,双炉门驱动机构安装座(8)固定安装在外密封炉门(4)的中心部位。5.根据权利要求1所述的一种石英双炉门结构,其特征在于:所述冷却水道(12)设置在外密封门靠紧边缘的直径上,且安放在外密封炉门(4)的内部。6.根据权利要求1所述的一种石英双炉门结构,其特征在于:所述弹性部件(9)的右端固定安装在石英包(2)的表面,其左端固定安装在外密封炉门(4)的表面。2CN111486712A说明书1/3页一种石英双炉门结构技术领域[0001]本发明涉及半导体工业晶片镀膜设备和光伏行业晶片镀膜设备生产技术领域,具体为一种石英双炉门结构。背景技术[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。[0003]常用的炉门结构为单炉门结构,这种单炉门结构在使用时经常会出现炉门密闭性不好,由于有空气中的氧因为炉门密封不好而进入炉口处与工艺管内部气体会生成反应物且在炉口积存,出现反应物在炉口堆积并粘连炉门,更加影响密封性,恶性循环愈演愈烈,同时也阻碍了工艺管内完成工艺的晶片进出炉口的顺畅,需要经常性清理,浪费机台清理和维护时间,影响机台产能和晶片工艺质量。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种石英双炉门结构,以解决上述背景技术中提出