一种直拉法单晶硅生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111826709A(43)申请公布日2020.10.27(21)申请号202010850406.4(22)申请日2020.08.21(71)申请人井兵涛地址610056四川省成都市成华区新鸿南二巷18号怡心苑(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350代理人汤东凤(51)Int.Cl.C30B15/10(2006.01)C30B15/24(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种直拉法单晶硅生长炉(57)摘要本发明涉及直拉单晶硅技术领域，且公开了一种直拉法单晶硅生长炉，包括固定箱和高温计，所述固定箱内腔左部固定安装有保温筒一，所述保温筒一的内壁固定安装有加热元件，所述固定箱的顶部右侧固定安装有籽晶。通过生长箱的设置，使得对多晶硅的融化与单晶硅体拉取的场所进行分离，并通过石英坩埚不断的融化多晶硅形成熔体为在生长箱的内部拉取单晶硅体提供原料，避免石英坩埚中的热场不均匀降低单晶硅体的质量，保证生长箱中的生长界面温度能够保持在一定范围内，降低温度控制难度，同时，石英坩埚和生长箱的设置保证了原料的充足，并通过旋转装置的设置，提高了一次性拉取单晶硅体的数量，增加生产效率。CN111826709ACN111826709A权利要求书1/1页1.一种直拉法单晶硅生长炉，包括固定箱(1)和高温计(9)，所述固定箱(1)内腔左部固定安装有保温筒一(2)，所述保温筒一(2)的内壁固定安装有加热元件(3)，所述固定箱(1)的顶部右侧固定安装有籽晶(8)，所述固定箱(1)的顶部右侧固定连接有上炉腔(6)，所述上炉腔(6)的相册上表面固定安装有升降装置(11)，所述升降装置(11)上缠绕有吊绳(7)，所述固定箱(1)的右侧底部开设有真空泵抽气孔(18)，其特征在于：所述固定箱(1)的顶部左侧固定安装有固定多晶硅储运装置(17)，所述固定多晶硅储运装置(17)与固定箱(1)的内部连通，所述固定箱(1)的内部且位于固定多晶硅储运装置(17)的正下方固定安装有石英坩埚(5)，所述固定箱(1)内腔底部固定安装有传输管道(16)，所述吊绳(7)的底端且且位于上炉腔(6)的内部固定连接有固定架(13)，所述固定架(13)的中心固定安装有电机(14)，所述固定架(13)的底面固定连接有旋转装置(12)，所述旋转装置(12)的底部均匀固定连接有籽晶(8)，所述传输管道(16)的顶端且位于旋转装置(12)的正下方固定安装有生长箱(15)，所述石英坩埚(5)的底部与传输管道(16)固定连接，所述生长箱(15)通过传输管道(16)与石英坩埚(5)连通，所述固定箱(1)的顶部且位于上炉腔(6)外侧下方均匀开设有氩气输入口(10)，所述石英坩埚(5)与传输管道(16)的连接固定安装有耐热隔离网。2.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述生长箱(15)包括箱体(151)，所述箱体(151)的顶部开设有生长腔(152)，所述生长腔(152)的中部开设有分流孔(153)，所述箱体(151)的底部开设有V型腔(154)，所述生长腔(152)、分流孔(153)和V型腔(154)依次连通，所述分流孔(153)有四个且均匀分布。3.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述旋转装置(12)包括支撑圆盘(121)，所述支撑圆盘(121)的直径与上炉腔(6)的内壁直径相同，所述支撑圆盘(121)的上表面均匀固定连接有连接柱(122)，所述连接柱(122)的顶端与固定架(13)固定连接，所述支撑圆盘(121)的中心活动安装有主动轮(123)，所述支撑圆盘(121)上活动套接有齿轮轴(124)，所述齿轮轴(124)与主动轮(123)啮合，所述齿轮轴(124)共有四个且均匀分布，所述齿轮轴(124)的底端与籽晶(8)固定连接，所述齿轮轴(124)的数量与分流孔(153)相同，所述齿轮轴(124)的中心与分流孔(153)的中心对齐。4.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述传输管道(16)包括竖直管道(161)与弯曲管道(162)，所述弯曲管道(162)与竖直管道(161)的右侧中部固定连接，所述竖直管道(161)与弯曲管道(162)上均固定套接有保温筒二(163)。5.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述石英坩埚(5)中的熔体液面高于生长箱(15)中的熔体高度。6.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述生长箱(15)与竖直管道(161)、弯曲管道(162)均由石英制成。7.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长炉，其特征在于：所述氩气输入口(