氧化镓单晶生长炉.pdf
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氧化镓单晶生长炉.pdf
本申请公开了氧化镓单晶生长炉,包括底座、脚轮、支撑板、防滑机构、调高机构以及夹持机构;其中所述底座底侧固定连接有脚轮,且底座右侧顶部贴合有支撑板;所述支撑板顶侧表面开设有导向槽,且支撑板顶侧表面中部开设有螺纹孔。该种氧化镓单晶生长炉设计新颖、结构简单、通过设置的防滑机构的作用下,便于将底座底部连接的脚轮脱离地面,通过推板将装置进行撑起,提高装置放置的稳定,满足工作者的使用需求,便于操作,在使用时,通过设置的夹持机构的作用下,便于通过夹板将放置在放置座表面的单晶生长炉主体进行稳定夹持,保障单晶生长炉主体稳定
单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法.pdf
本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法,包括发热件、感应线圈和保温组件,发热件用于加热原料;发热件被配置为与感应线圈电磁耦合,以产生热量;保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒,保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间,以及第一保温套筒和第二保温套筒之间,并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时,提高温场的稳定性,从而提高生长晶体的质量。
一种氧化镓单晶生长装置.pdf
本发明公开了一种氧化镓单晶生长装置,其包括氧化镓晶体生长炉以及设置在所述氧化镓晶体炉侧边的激光辅助加热器,所述激光辅助加热器发出的激光射入所述氧化镓晶体生长炉内部。本发明通过引入激光辅助加热器,利用激光定向精准加热功能,使模具口附近的晶体生长固液界面处的过冷区域快速局部升温,可以在很短的时间内消除过冷现象,从而确保高质量氧化镓晶体的顺利生长。
多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法.pdf
一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法,涉及砷化镓多晶,尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长,提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法,该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成,多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置,炉室嵌套在纵向磁场装置中,四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体,砷化镓多晶在生长过程中,通过磁场装置产生诱导漩涡,利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法,实现多炉室同步的
一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件.pdf
本发明公开了一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件,所述方法包括:1)将固态氧化镓加热至完全熔化,降温至氧化镓的熔点并且保持熔体状态保温30分钟以上;2)将步骤1)得到的所述氧化镓熔体梯度降温直至获得固态氧化镓单晶;所述梯度降温是将步骤1)得到的所述氧化镓熔体按照第一梯度降温至第一温度;再按照第二梯度继续降温至室温,得到氧化镓单晶;所述步骤1)中,从固态氧化镓加热至第一温度起,生长气氛中存在体积分数为2%以上的氧气。本发明得到的体块氧化镓单晶的直径为2英寸以上且厚度为10mm以上;而且