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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112111667A(43)申请公布日2020.12.22(21)申请号202011006535.1(22)申请日2020.09.23(71)申请人北京钢研新冶精特科技有限公司地址100081北京市海淀区学院南路76号院49幢楼(72)发明人刘秋元沈伟王峰贺智勇张启富(74)专利代理机构北京智丞瀚方知识产权代理有限公司11810代理人任冠举(51)Int.Cl.C22C1/10(2006.01)C22C1/02(2006.01)C22C21/00(2006.01)C22C32/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法(57)摘要本申请提供一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法。其中该方法包括:S1、选取镁、硅、铍和铝依次通过熔炼、热轧、冷轧、固溶和时效处理,制成铝合金;S2、筛选碳化硅颗粒混合并干压制成坯体碳化硅,将所述坯体碳化硅放入马弗炉中对所述坯体碳化硅进行预氧化处理,获得碳化硅初成品;S3、对所述碳化硅初成品进行表面处理以在所述碳化硅初成品的表面形成过渡层,获得碳化硅成品;S4、将所述铝合金和碳化硅成品混合并进行无压浸渗处理,获得铝基碳化硅复合材料。本申请提供的制备方法,能够大幅提高铝与碳化硅之间的界面结合力,进而大幅提高铝基碳化硅复合材料的制备质量。CN112111667ACN112111667A权利要求书1/1页1.一种铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,包括:S1、选取镁、硅、铍和铝依次通过熔炼、热轧、冷轧、固溶和时效处理,制成铝合金;S2、筛选碳化硅颗粒混合并干压制成坯体碳化硅,将所述坯体碳化硅放入马弗炉中对所述坯体碳化硅进行预氧化处理,获得碳化硅初成品;S3、对所述碳化硅初成品进行表面处理以在所述碳化硅初成品的表面形成过渡层,获得碳化硅成品;S4、将所述铝合金和碳化硅成品混合并进行无压浸渗处理,获得铝基碳化硅复合材料。2.根据权利要求1所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,在S1中,镁的加入量为1-12质量份数,硅的加入量为5-10质量份数,铍的加入量为0.1-0.25质量份数,铝的加入量为77.75-93.9质量份数。3.根据权利要求1所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述S2包括:筛选粒径范围为10-100μm的碳化硅颗粒,将筛选后的碳化硅颗粒混合后干压制成坯体碳化硅,将所述坯体碳化硅进行预氧化处理,获得碳化硅成品。4.根据权利要求1所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述过渡层为碳化硅-钛铝合金过渡层。5.根据权利要求4所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述S3,包括:对所述碳化硅初成品进行表面热浸钛铝合金处理以在所述碳化硅初成品的表面形成碳化硅-钛铝合金过渡层,获得碳化硅成品。6.根据权利要求5所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述钛铝合金包括以下重量份数的组分:铝38-42份、铌1.5-2.5份、钛55.5-60.5份。7.根据权利要求1所述的铝基碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于,所述S4包括:在850-1000℃的氮气氛围中将所述铝合金和碳化硅成品混合并进行2-4小时的无压浸渗处理,获得铝基碳化硅复合材料。8.一种铝基碳化硅复合材料,其特征在于,所述铝基碳化硅复合材料通过权利要求1-7任意一项所述的制备方法制备得到。9.根据权利要求8所述的铝基碳化硅复合材料,其特征在于,所述铝基碳化硅复合材料包括以下重量份数的组分:铝合金49.5-57份,碳化硅40-50份,钛铝合金0.5-3份。2CN112111667A说明书1/6页一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及材料技术领域,特别涉及一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法。背景技术[0002]铝基碳化硅复合材料(SiC/Al)是一种碳化硅颗粒增强的铝基复合材料,其兼具了铝合金密度低、导热好、性价比高和碳化硅比重小、强度高、热膨胀系数低等的优点,在航空航天、军事、精密仪器、电子封装、汽车、体育用品等领域有着十分广阔的应用前景。此外,由铝基碳化硅复合材料制成的预制件,质量稳定,能够大大降低机械加工的生产量,减少时间方面以及资金方面的投入,还有望在后续硅片或GaAs芯片的电子封装等各方面实现应用,发挥更为积极的价值。[0003]但是,目前市场上的铝基碳化硅复合材料还存在着增强体碳化硅颗粒与铝合金液两相之间的润湿性差和产生有害界面反应等的问题。这些问题会严重影响铝基碳化硅复合材料的性能。其一,增强体碳化硅颗粒与铝合金液两相之间的润湿性差会带来孔洞、孔隙增多等一系列问题,进而大大降低铝基碳化硅复合材料的力学性能和热学性能,浸润界面的低