一种液口距确定方法、装置及单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112281208A(43)申请公布日2021.01.29(21)申请号201910662728.3(22)申请日2019.07.22(71)申请人隆基绿能科技股份有限公司地址710100陕西省西安市长安区航天中路388号(72)发明人郭力李侨徐战军(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319代理人莎日娜(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称一种液口距确定方法、装置及单晶炉(57)摘要本发明提供了一种液口距确定方法、装置及单晶炉，方法包括：获取目标图像；所述目标图像包括：导流筒的下沿口的第一子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第二子图像；在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点；确定所述边界点和所述边界点对应的倒影点之间的像素距离；根据所述像素距离及预设系数，确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距。本申请中，只需通过获取目标图像，在目标图像中测量导流筒的下沿口的边界点与其对应的倒影点之间的像素距离，根据像素距离以及预设系数即可以得到导流筒的下沿口至熔硅液面的液口距，确定的液口距准确性高，且操作简单。CN112281208ACN112281208A权利要求书1/2页1.一种液口距确定方法，其特征在于，包括：获取目标图像；所述目标图像包括：导流筒的下沿口的第一子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第二子图像；在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点；确定所述边界点和所述边界点对应的倒影点之间的像素距离；根据所述像素距离及预设系数，确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点，包括：获取所述目标图像的像素点的灰度梯度；根据所述灰度梯度，对所述目标图像进行边缘检测，以在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点之前，还包括：获取标定图像；所述标定图像包括：所述导流筒的下沿口的第三子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第四子图像；在所述标定图像中，获取穿过所述导流筒下沿口的边界点与所述边界点对应的倒影点的第一直线；所述在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点，包括：在所述第一子图像中，任意选取一个点，并将所述点确定为所述导流筒的下沿口的边界点；在所述目标图像中，获取穿过所述边界点的第二直线，使得所述第二直线与所述第一直线平行；在所述第二子图像中，选取所述第二直线与所述熔硅液面的交点，为所述边界点对应的倒影点。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点之前，还包括：对所述目标图像进行降噪处理。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标图像由图像获取单元获取；所述图像获取单元的镜头的轴线与所述熔硅液面的夹角为预设角度；所述预设系数包括：所述预设角度的正弦值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述像素距离及预设系数，确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距之前，还包括：获取第一时刻所述导流筒的下沿口与熔硅液面的第一高度；获取第二时刻所述导流筒的下沿口与熔硅液面的第二高度；基于所述第一高度和所述第二高度的差值，以及所述预设角度的正弦值，确定所述预设系数。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：2CN112281208A权利要求书2/2页在所述液口距位于预设液口距范围之外的情况下，调整拉晶速度、和/或所述熔硅液面的上升速度，控制所述液口距位于所述预设液口距范围之内。8.一种液口距确定装置，其特征在于，包括：图像获取单元，用于获取目标图像；所述目标图像包括：导流筒的下沿口的第一子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第二子图像；第一确定单元，用于在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点，并确定所述边界点对应的倒影点；第二确定单元，用于确定所述边界点和所述边界点对应的倒影点之间的像素距离；第三确定单元，用于根据所述像素距离及预设系数，确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距。9.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储