高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112332064A(43)申请公布日2021.02.05(21)申请号202011123982.5(22)申请日2020.10.20(71)申请人苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司地址215000江苏省苏州市高新区鹿山路369号26幢(72)发明人陈建良(74)专利代理机构苏州周智专利代理事务所(特殊普通合伙)32312代理人周雅卿(51)Int.Cl.H01P11/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页(54)发明名称高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法(57)摘要本发明公开了一种高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，包括以下步骤：对陶瓷基板背面采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，在陶瓷基板的正面焊盘处采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，然后放入烧结炉进行烧结，在陶瓷基板正面涂布光刻胶、曝光、显影后分别溅射Ti/W金属层和Ni/Cr金属层，在去胶液中去除光刻胶，最后涂布光刻胶、曝光、显影后真空溅射电镀层，采用高温对TaN电阻层进行氧化，使其表面形成氧化层，对电阻进行微调，氧化层对电阻起到保护的作用。本发明减少了工艺步骤，极大提高了衰减电路的精度，保证产品的质量。CN112332064ACN112332064A权利要求书1/2页1.一种高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、对陶瓷基板背面采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，印刷好导体后进行烘干，烘干温度为140-160℃，烘干时间为12-18min，在陶瓷基板的正面焊盘处采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，印刷好焊盘后进行烘干，烘干温度为140-160℃，烘干时间为12-18min；S2、把印刷好背面导体和正面焊盘的陶瓷基板放入烧结炉进行烧结，烧结温度为800-850℃，烧结时间为15～20分钟；S3、在烧结过的陶瓷基板正面涂布光刻胶，光刻胶的厚度为1-3um，然后对光刻胶进行烘干，把带有烘干的光刻胶的陶瓷基板放入光刻机进行紫外曝光，然后用显影液把需要溅射导线的部分蚀刻掉，同时露出印刷厚膜银浆的焊盘，蚀刻时光刻胶蚀刻干净露出陶瓷基板；S4、把已经完成显影的陶瓷基板装载到磁控溅射炉中，采用磁控溅射炉溅射Ti/W金属层，导线区域和焊盘区域导通；溅射完Ti/W金属层后，继续溅射Ni/Cr金属层，导线区域和焊盘区域导通；S5、溅射好Ni/Cr金属层后，在去胶液中去除光刻胶，光刻胶去除后则留下需要的导线；S6、在已经溅射好金属导线的陶瓷基板正面再次涂布光刻胶，光刻胶厚度为1-3um，然后对光刻胶进行烘干，把带有烘干的光刻胶的陶瓷基板，放入光刻机进行紫外曝光，然后用显影液把需要溅射电阻部分光刻胶蚀刻掉，蚀刻时光刻胶蚀刻干净露出陶瓷基板且电阻两端需要留出0.1-0.2mm的导线，溅射后的电阻需要覆盖露出的导线部分，以保证电路导通；S7、把已经完成显影的陶瓷基板装载到磁控溅射炉中，采用磁控溅射炉溅射TaN层以形成电阻，工艺条件为：Ar气流量为18-22sccm，N2气流量为7-9sccm，工作气压为0.5-0.7Pa，溅射功率为2500-2700W；S8、溅射好TaN电阻层后，在去胶液中去除光刻胶，光刻胶去除后则留下需要的衰减电路的电阻，电阻通过四探针测阻仪进行检测；S9、采用高温对TaN电阻层进行氧化，使其表面形成氧化层，对电阻进行微调，氧化层对电阻起到保护的作用；S10、对产品印刷二次保护膜对电路进行保护，只露出需要焊接的焊盘部分和接地导线部分；S11、用自动分条机沿着接地线方向对衰减片进行分条，并且把分好条的产品摆入治具中，然后用磁控溅射炉，再次溅射产品的侧导，以保证产品的正面电路和背面印刷的接地导线导通；S12、溅射好侧导的产品，采用自动分粒机进行分粒，分粒好的产品进行电镀处理。2.根据权利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：所述陶瓷基板为高导热陶瓷基板，所述高导热陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板或氧化铍陶瓷基板。3.根据权利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：在步骤S1中的银浆包括以下重量份的原料：银粉60-70份、硅烷偶联剂1-2份、玻璃粉3-5份、气相二氧化硅触变剂0.5-2份、固化剂0.2-0.8份、有机溶剂3-5份和稀释剂1-2份。4.根据权利要求3所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：所述玻璃粉包括二氧化钛、三氧化二硼、氧化锂和氧化钾中的至少一种；2CN112332064A权利要求书2/2页所述硅烷偶联剂包括氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和丙基三甲氧基硅烷中的至少一种；所述固化剂为三甲基六亚甲基二胺；所述有机溶剂为自二乙二醇丁醚醋酸酯；所述稀释剂包括以下重量百分比的原料：乙醇