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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112410871A(43)申请公布日2021.02.26(21)申请号202011315020.X(22)申请日2020.11.20(71)申请人湖南烁科晶磊半导体科技有限公司地址410000湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房(72)发明人杜鹏龚欣魏唯陈峰武王慧勇肖慧宁澍陈长平(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人徐好(51)Int.Cl.C30B23/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉(57)摘要本发明公开了一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉,包括坩埚托架、安装法兰、设于安装法兰上侧的热屏蔽筒、设于安装法兰下侧的闸阀、设于闸阀下侧的外筒、以及用于带动坩埚托架在热屏蔽筒和外筒之间移动的升降驱动机构,所述热屏蔽筒内设有加热器,所述外筒连接有真空泵,所述升降驱动机构与所述外筒密封连接。本发明具有结构简单、成本低、可靠性高、占用空间少等优点。CN112410871ACN112410871A权利要求书1/1页1.一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:包括坩埚托架(5)、安装法兰(1)、设于安装法兰(1)上侧的热屏蔽筒(2)、设于安装法兰(1)下侧的闸阀(3)、设于闸阀(3)下侧的外筒(4)、以及用于带动坩埚托架(5)在热屏蔽筒(2)和外筒(4)之间移动的升降驱动机构(6),所述热屏蔽筒(2)内设有加热器(21),所述外筒(4)连接有真空泵,所述升降驱动机构(6)与所述外筒(4)密封连接。2.根据权利要求1所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述热屏蔽筒(2)内壁设有水冷层(23),所述水冷层(23)内侧设有热屏蔽层(24),所述加热器(21)位于所述热屏蔽层(24)内侧。3.根据权利要求2所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述安装法兰(1)侧壁上设有冷却水接口(11)和电馈通(12),所述水冷层(23)通过所述冷却水接口(11)与冷却水源连通,所述加热器(21)通过所述电馈通(12)与电源连通。4.根据权利要求2所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述安装法兰(1)与所述闸阀(3)之间还设有连接筒(7),所述安装法兰(1)侧壁上设有冷却水接口(11),所述连接筒(7)侧壁上设有电馈通(12),所述水冷层(23)通过所述冷却水接口(11)与冷却水源连通,所述加热器(21)通过所述电馈通(12)与电源连通。5.根据权利要求4所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述热屏蔽筒(2)内设有固定热电偶(22),所述连接筒(7)侧壁上设有固定热电偶馈通(13),所述固定热电偶(22)通过所述固定热电偶馈通(13)与温控仪表连通。6.根据权利要求3所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述热屏蔽筒(2)内设有固定热电偶(22),所述安装法兰(1)侧壁上设有固定热电偶馈通(13),所述固定热电偶(22)通过所述固定热电偶馈通(13)与温控仪表连通。7.根据权利要求1至6中任一项所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述升降驱动机构(6)为磁力耦合驱动机构。8.根据权利要求1至6中任一项所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述坩埚托架(5)上设有移动热电偶(51),所述移动热电偶(51)工作端与坩埚(8)接触。9.根据权利要求8所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述坩埚托架(5)上设有移动热电偶馈通(52),所述移动热电偶(51)通过所述移动热电偶馈通(52)与温控仪表连通。10.根据权利要求8所述的坩埚可移动的分子束外延用束源炉,其特征在于:所述升降驱动机构(6)包括驱动导轨(61)和波纹管(62),所述波纹管(62)上端与所述外筒(4)底部密封连接,所述波纹管(62)下端与坩埚托架(5)底部密封连接。2CN112410871A说明书1/4页一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉技术领域[0001]本发明涉及半导体设备,尤其涉及一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉。背景技术[0002]分子束外延(MBE)是在超高真空环境下,把构成晶体的各组分和掺杂的原子或分子,以一定的热运动速度、按一定的成分比例从束源炉中喷射到衬底表面上进行外延生长来制备单晶薄膜的一种方法。其中束源炉是分子束外延设备的重要组成部分,束源炉通过加热坩埚内的源材料来获得稳定可控的蒸发束流。[0003]可移动束源炉可以在不排空整个生长腔室的前提下,通过闸阀将束源炉从超高真空环境中抽出和隔离,在完成束源炉维护或源材料填充后,再将束源炉送回生长腔室,整个过程生