一种自清洁减反射薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112442669A(43)申请公布日2021.03.05(21)申请号202011321176.9C23C14/10(2006.01)(22)申请日2020.11.23C23C14/18(2006.01)(71)申请人南京工程学院地址211167江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号(72)发明人姚函妤唐群涛巨佳王龙龙刘佳琦申亚宁王帅康吴心怡(74)专利代理机构南京灿烂知识产权代理有限公司32356代理人吴亚(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/58(2006.01)C03C17/02(2006.01)C03C17/09(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种自清洁减反射薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种自清洁减反射薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一：取清洗干净的玻璃基体，置于磁控溅射装置的腔室内，采用金属靶和二氧化硅靶共溅射；步骤二：将沉积结束的玻璃基体浸入特制去金属溶液中，超声振荡0.5‑1h，进行湿法刻蚀，获得二氧化硅薄膜；步骤三：将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净，再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液；步骤四：将中和清洗后的玻璃基体取出，并采用流动水冲洗干净，表面吹干，置于退火炉中300‑500℃退火1‑2h，使二氧化硅薄膜结晶，最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。本发明提供的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，能够起到自清洁和减反射双重作用。CN112442669ACN112442669A权利要求书1/1页1.一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：取清洗干净的玻璃基体，置于磁控溅射装置的腔室内，采用金属靶和二氧化硅靶共溅射，在玻璃基体上沉积金属颗粒和二氧化硅混合物薄膜；步骤二：将沉积结束的玻璃基体浸入去金属溶液中，超声振荡0.5-1h，进行湿法刻蚀，获得二氧化硅薄膜；步骤三：将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净，再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液；步骤四：将中和清洗后的玻璃基体取出，并采用流动水冲洗干净，表面吹干，置于退火炉中300-500℃退火1-2h，使二氧化硅薄膜结晶，最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。2.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属靶的功率为70W～20W，所述二氧化硅靶的功率为50-150W，所得混合物薄膜厚度为50nm。3.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属靶的功率为70W～20W，所述二氧化硅靶的功率为50-150W，溅射过程中金属靶的功率每2min增加10W，所得混合物薄膜厚度为126nm。4.根据权利要求3所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述混合物薄膜中金属颗粒含量由玻璃基体表面至混合物薄膜外表面逐渐增高。5.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述去金属溶液的配制方法为：在100mL5-30％浓度氨水中加入30mL5-30％浓度的双氧水，再用200mL超纯水稀释，在稀释后的溶液中加入多种表面活性剂，多种表面活性剂包括1-10g月桂醇硫酸钠、1-5g甘胆酸钠、1-4.5g二辛基琥珀酸磺酸钠、5-50mL椰油酸二乙醇酰胺和1-5g聚氧乙烯羊毛脂，加热20-50℃下搅拌均匀直至充分溶解形成均质溶液。6.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述表面吹干为表面采用氮气吹干。7.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述稀盐酸溶液的浓度为2～5％。8.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅结晶态薄膜的折射率为1.21～1.32，与水滴的接触角为137°～141°。9.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属靶的材质包括铜、银、镍、金、铁、锡或铝。10.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述玻璃基体包括超白浮法玻璃、钠钙玻璃、石英玻璃或硅片。2CN112442669A说明书1/5页一种自清洁减反射薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种自清洁减反射薄膜的制备方法，属于薄膜材料技术领域。背景技术[0002]玻璃的透明性、耐高温、耐腐蚀和易于各种形状的制备等优点使得其在日常生活和工业生产中均具有广泛的应用。例如作为一种保护装置覆盖在太阳电池光吸收面上，既可以保证较高的太阳光透过率，又可避免太阳电池受雨水、灰尘和气体等的侵害。[0003]由于光在不同介质中的传播速率不同(介质折射率不同)，光线从一种介质入射到另一种介质时会在介质