一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112609087A(43)申请公布日2021.04.06(21)申请号202011394772.X(22)申请日2020.12.02(71)申请人宁波创润新材料有限公司地址315460浙江省宁波市余姚市临山镇临浦村(72)发明人吴景晖杜全国李东侠雷孝吕宋彦明姚力军(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人郎祺(51)Int.Cl.C22B9/22(2006.01)C22B23/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法(57)摘要本发明公开了一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，包括如下步骤：S1、选取高纯电解镍板作为原材料，打磨后采用清洗液对其进行清洗并烘干，记录重量后，将其有序装入电子束炉的料仓中固定好，并对电子束炉内进行抽真空处理；S2、对电子枪进行预热并加功率，待电子枪稳定后，启动推料机构，将经步骤S1固定好的料仓中所述高纯电解镍板依次推入冷床中进行熔化完全后，形成镍熔体，并将所述镍熔体在冷床上停留2‑4min，待所述镍熔体充分放气后，将所述镍熔体流入铸锭坩埚中，制得镍锭；S3、依次关闭电子枪和真空体系，打开电子束炉，取出经步骤S2制得的所述镍锭。本发明方法解决镍锭在熔炼过程中遇到的内部缺陷问题，提高产品合格率和生产效率。CN112609087ACN112609087A权利要求书1/1页1.一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选取高纯电解镍板作为原材料，将所述高纯电解镍板打磨后，采用清洗液对其进行清洗并烘干，记录所述高纯电解镍板重量后，将其有序装入电子束炉的料仓中固定好，并对电子束炉内进行抽真空处理；S2、对电子枪进行预热并加功率350‑400KW，待电子枪稳定后，启动推料机构，将经步骤S1固定好的料仓中所述高纯电解镍板依次推入冷床中进行熔化完全后，形成镍熔体，并将所述镍熔体在冷床上停留2‑4min，待所述镍熔体充分放气后，将所述镍熔体流入铸锭坩埚中，所述铸锭坩埚功率为280‑300KW，制得镍锭；S3、依次关闭电子枪和真空体系，打开电子束炉，取出经步骤S2制得的所述镍锭。2.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S1中，所述电解镍板的纯度为99.95％。3.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S1中，所述清洗液中含有稀硫酸。4.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S1中，采用真空干燥箱对所述高纯电解镍板进行烘干。5.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S2中，冷床上所述电子枪功率为350KW。6.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S2中，所述铸锭坩埚功率为280KW。7.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S3中，关闭电子枪4h后关闭真空体系。8.根据权利要求1所述的高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，其特征在于，S3中，关闭电子枪12h后打开电子束炉。2CN112609087A说明书1/3页一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法技术领域[0001]本发明涉及金属冶炼技术领域，尤其涉及一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法。背景技术[0002]高纯镍锭是半导体用溅射镍靶材重要原材料，主要用作集成电路和微电子薄膜材料的镀膜材料。[0003]目前常用的方法是采用镍锭的二次熔炼，采用电子束二次熔炼获得的镍锭，能去除掉锭子内部大部分缺陷，但二次熔炼熔炼成本相对较高，熔炼时间长，效率低下，且镍锭出炉后需重新经过处理，吊运安装等极易引入新的污染产品质量不易保持稳定。发明内容[0004]本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，解决镍锭在熔炼过程中遇到的内部缺陷问题，提高产品合格率和生产效率。[0005]为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：[0006]提供一种高纯镍锭的冷床电子束熔炼方法，包括如下步骤：[0007]S1、选取高纯电解镍板作为原材料，将所述高纯电解镍板打磨后，采用清洗液对其进行清洗并烘干，记录所述高纯电解镍板重量后，将其有序装入电子束炉的料仓中固定好，并对电子束炉内进行抽真空处理；[0008]S2、对电子枪进行预热并加功率350‑400KW，待电子枪稳定后，启动推料机构，将经步骤S1固定好的料仓中所述高纯电解镍板依次推入冷床中进行熔化完全后，形成镍熔体，并将所述镍熔体在冷床上停留2‑4min，待所述镍熔体充分放气后，将所述镍熔体流入铸锭坩埚中，所述铸锭坩埚功率为280‑300KW，制得镍锭；[0009]S3、依次关闭电子枪和真空体系，打开电子束炉，取出经步骤S2制得的所述镍锭。[