一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112897872A(43)申请公布日2021.06.04(21)申请号202110116712.X(22)申请日2021.01.28(71)申请人通鼎互联信息股份有限公司地址215233江苏省苏州市吴江区震泽镇八都经济开发区小平大道8号(72)发明人沈小平魏文涛何炳祝君沈杰白晓明王樯(74)专利代理机构苏州知途知识产权代理事务所(普通合伙)32299代理人马刚强时萌萌(51)Int.Cl.C03B37/027(2006.01)C03B37/018(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法(57)摘要本申请涉及一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，包括以下步骤：S1，设计纤芯、内包层的折射率结构；S2，使用采用三喷灯气相轴向法工艺进行纤芯层和内包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，再拉制到预定直径的芯棒；S3，使用外气相沉积法工艺进行外包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化；其中，纤芯层为掺杂锗的玻璃棒，内包层为掺杂碱金属的玻璃棒，外包层为纯二氧化硅；S4，把光纤预制棒安装在拉丝塔上，送进感应石墨拉丝炉，加热拉丝炉，使光纤预制棒熔化抽成光纤。本发明使用VAD和OVD法结合生产光纤预制棒的方法，简化了工艺，对设备的要求相对降低，极大的降低了生产成本。CN112897872ACN112897872A权利要求书1/1页1.一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，设计纤芯(1)、内包层(2)的折射率结构；S2，使用采用三喷灯气相轴向法工艺进行纤芯层和内包层的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，再拉制到预定直径的芯棒(3)；S3，预定直径的预制棒芯棒(3)为“靶棒”，使用外气相沉积法工艺进行外包层(4)的沉积，对沉积好的松散体依次进行烧结，脱水和玻璃化，完成大模场弯曲损耗不敏感单模光纤预制棒(5)的制造；其中，所述纤芯层为掺杂锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂碱金属的玻璃棒，所述外包层为纯二氧化硅；S4，把所述光纤预制棒(5)安装在拉丝塔上，送进感应石墨拉丝炉(6)，加热所述拉丝炉(6)，使光纤预制棒(5)熔化抽成光纤(7)。2.根据权利要求1所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，还包括步骤：S5，所述光纤依次通过保温炉(8)、裸纤测径仪(9)、张力测试仪(10)、涂覆杯(11)、UV固化炉(12)、涂层直径测试仪(13)、搓钮系统(14)，到达主牵引装置(15)后，收集到光纤收线机(16)上。3.根据权利要求2所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，步骤S3中，所述纤芯层为掺杂少量锗的玻璃棒，所述内包层为掺杂少量碱金属的玻璃棒。4.根据权利要求2所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，步骤S4中，光纤预制棒(5)熔化抽成直径为125um的光纤(7)。5.根据权利要求1‑4任一项所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，步骤S1中，通过调整包层下限环的几何尺寸和位置、设计合适的折射率剖面、均衡光纤的模场直径以及截止波长的技术指标，确定纤芯(1)、内包层(2)的折射率结构。6.根据权利要求1‑4任一项所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，纤芯(1)、内包层(2)和外包层(4)的折射率分别为n1、n2和n3，调整n1、n2和n3的大小，使其符合折射率Δ1＝(n1‑n2)/n1＝0.34％～0.38％；折射率Δ2＝(n2‑n3)/n2＝‑0.16％～‑0.28％。7.根据权利要求6所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，在步骤S2中，在第一喷灯掺入含氟气体降低纤芯(1)中的锗浓度，从而降低n1，在第二喷灯掺入碱金属减小内应力，在第三喷灯掺杂CF4使内包层的下限沟槽折射率达到n2，提高光纤的抗弯曲性能。8.根据权利要求1‑4任一项所述的接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，纤芯(1)的直径为7～10um，内包层(2)的直径为10～20um。2CN112897872A说明书1/4页一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法技术领域[0001]本申请属于光纤技术领域，尤其是涉及一种接入网用大模场弯曲损耗不敏感单模光纤的制造方法。背景技术[0002]光纤通信是利用光波作载波，以光纤作为传输媒质将信息从一处传至另一处的通信方式，被称之为“有线”光通信。当今，光纤以其传输频带宽、抗干扰性高和信号衰减小，而远优于电缆、微波通