一种钐钴真空烧结炉及其应用方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113048783A(43)申请公布日2021.06.29(21)申请号202110310950.4F27B9/40(2006.01)(22)申请日2021.03.23(71)申请人杭州永磁集团有限公司地址311201浙江省杭州市萧山区钱江农场一分场永磁工业园区(72)发明人沈定君赵宇樊金奎徐道兵冯建涛王栋(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司33109代理人俞润体何俊(51)Int.Cl.F27B9/04(2006.01)F27B9/12(2006.01)F27B9/16(2006.01)F27B9/30(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称一种钐钴真空烧结炉及其应用方法(57)摘要本发明涉及永磁材料制备领域，公开了一种钐钴真空烧结炉及其应用方法，该钐钴真空烧结炉包括：炉体以及设于炉体外与炉体连通的换热冷却机构，炉体内设有旋转底盘、位于旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；炉体外设有驱动机构；炉体上设有保护罩升降机构；烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构。本发明真空烧结炉可有效抑制钐挥发并提高烧结冷却均温性，具有操作便捷、冷却均匀、节能环保的特点，可解决生产效率无法满足需求的问题。CN113048783ACN113048783A权利要求书1/2页1.一种钐钴真空烧结炉，包括炉体（1）以及设于所述炉体外与炉体连通的换热冷却机构，其特征在于：所述炉体内设有旋转底盘（2）、位于所述旋转底盘上方且可升降的烧结保护罩；所述炉体外设有用于驱动旋转底盘的驱动机构（3）；所述炉体上设有用于驱动烧结保护罩的保护罩升降机构（4）；所述烧结保护罩与旋转底盘在合拢状态下形成有通气结构；所述烧结保护罩包括外保护罩（5）和内保护罩（6），所述外保护罩罩设于内保护罩外且相互之间设有间隙，内保护罩上分布有内保护罩气孔（7）。2.如权利要求1所述的钐钴真空烧结炉，所述内保护罩的不同高度上设有若干层所述内保护罩气孔为径向孔，每一层的内保护罩气孔的弧间距等于相邻层内保护罩气之间的高度差。3.如权利要求2所述的钐钴真空烧结炉，其特征在于，所述旋转底盘上设有进气阀门，在合拢状态下所述进气阀门与内、外保护罩之间的间隙形成所述通气结构；所述进气阀门包括阀门本体（8）和压差块（9）；所述阀门本体中上下贯穿旋转底盘且具有中空气道，阀门本体的顶部和底部分别设有上进气孔（10）、下进气孔（11），所述压差块通过所述中空气道的台阶位于阀门本体内。4.如权利要求1所述的钐钴真空烧结炉，其特征在于，所述换热冷却机构为回形换热冷却机构，包括连接后可形成回形冷却风的进风换热器（12）、回风换热器（13）、回风管（14）、离心风机（15）和叶轮蜗壳（16）。5.如权利要求1所述的钐钴真空烧结炉，其特征在于，所述驱动机构中集成有伺服电机和减速器。6.如权利要求1所述的钐钴真空烧结炉，其特征在于，所述旋转底盘为水平旋转。7.如权利要求1或6所述的钐钴真空烧结炉，其特征在于，所述旋转底盘上设有毛坯料盒托架（17）。8.一种利用权利要求1‑7之一所述钐钴真空烧结炉制备烧结钐钴磁体的方法，其特征在于包括以下步骤：1）烧结：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经保温排气后，再升温进行预烧结，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，然后升温进行烧结，再降温，然后升起烧结保护罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，旋转底盘转向与换热冷却机构形成的回形风风向相同或相逆，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；2）时效：将所得烧结钐钴磁体毛坯在惰性气体保护下进行保温时效，然后降温，得到烧结钐钴磁体。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：‑3‑烧结具体为：将钐钴磁体生坯置于所述钐钴真空烧结炉内，抽真空至1×10~9×103Pa，此阶段烧结保护罩保持开启状态，炉体进行加热，钐钴磁体生坯经200~250℃、450~500℃和850~950℃三段的保温排气，再升温到预烧结温度1150~1185℃，烧结保护罩下降至与旋转底盘紧密贴合，向炉体内充入惰性气体，惰性气体通过烧结保护罩与旋转底盘之间的通气结构充入烧结保护罩内，该过程中真空度保持在‑0.04~‑0.06MPa，然后升温至烧结温度1200~1250℃，烧结时间为30min~2h，再降温到1170~1185℃保持2~6h，然后升起烧结保护2CN113048783A权利要求书2/2页罩，控制旋转底盘旋转和开启换热冷却机构进行降温，转速为5~30转/min，冷却至室温后，得到烧结钐钴磁体毛坯；时效具