一种钌钴铼合金粉末的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113084150A(43)申请公布日2021.07.09(21)申请号202110310641.7C22C1/02(2006.01)(22)申请日2021.03.24C22C19/07(2006.01)C22C28/00(2006.01)(71)申请人河南东微电子材料有限公司C22C5/04(2006.01)地址450000河南省郑州市航空港区新港C22C30/00(2006.01)大道与人民路交叉口智能终端手机产业园B区12号楼1、2层(72)发明人王永超陈耘田赵泽良史豪杰仝红岩王留土郑海强居炎鹏郭利乐刘占军李伟(74)专利代理机构郑州浩翔专利代理事务所(特殊普通合伙)41149代理人李伟(51)Int.Cl.B22F1/00(2006.01)B22F9/08(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种钌钴铼合金粉末的制备方法(57)摘要本发明公开了一种钌钴铼合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取钌粉（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铼粉（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的钌钴铼合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得钌钴铼合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为15μm的钌钴铼合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量钌钴铼合金粉的要求。CN113084150ACN113084150A权利要求书1/1页1.一种钌钴铼合金粉末，其特征在于：所述钌钴铼合金粉为类球形，流动性好，粒径5.2～50μm，平均粒径为15μm。2.根据权利要求1所述的钌钴铼合金粉，其特征在于：粉末的纯度大于99.95%。3.根据权利要求1所述的钌钴铼合金粉，其特征在于：粉末中Ru含量为5‑51wt%、Co含量为45‑70wt%、Re含量为5‑50wt%。4.一种钌钴铼合金粉的制备方法，其特征在于包含以下工艺步骤：（1）按一定质量比称取纯度为99.99%的钌粉、纯度为99.99%的钴片、纯度为99.99%的铼粉；（2）母合金熔炼：将步骤（1）配取的原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的钌钴铼合金液；（3）高温气雾化制粉：将步骤（2）得到的母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；（4）洗涤、干燥：将步骤（3）所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得钌钴铼合金粉末。5.根据权利要求4所述的一种钌钴铼合金粉的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述的母合金熔炼中保护气氛为氩气，升温至1400‑1800℃，保温20‑100min后随炉冷却。重复熔炼3‑5次。6.根据权利要求4所述的一种钌钴铼合金粉的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述高温气雾化制粉的条件为：保护气氛为氩气，腔室压力为0.2‑0.4MPa，雾化压力为2.0‑3.5MPa，喷铸压力为0.5‑1.8MPa，雾化气体为氩气。7.根据权利要求4所述的一种钌钴铼合金粉的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述的洗涤、干燥条件为：超声清洗介质为无水乙醇，时长20‑45min，使用真空干燥箱干燥30‑60min，温度50‑90℃。2CN113084150A说明书1/3页一种钌钴铼合金粉末的制备方法技术领域[0001]本发明属于粉末冶金技术领域，具体涉及一种钌钴铼合金粉末的制备方法。背景技术[0002]目前数据存储行业飞速发展，人们不断追求高面存储密度。其中垂直磁存储系统十分有发展前景。垂直记录介质结构的面存储密度远高于传统的纵置介质。钌与钌基合金材料是垂直磁存储系统中重要的材料之一，比如钌薄膜作为中间层起到增加热稳定性、减小晶格失配应力、降低噪声等作用；钌基合金薄膜作为反铁磁耦合磁记录介质中的耦合层具有高记录密度、高性能的特点；RuCo/ReCo薄膜作为隔离含Ru反铁磁层的颗粒层有利于增大面记录密度。这些薄膜通过磁控溅射技术进行制备，需要高纯度、高致密度、组织均匀、晶粒细小的钌基合金靶材作为原料。而钌基合金靶材一般采用粉末冶金的方法制备。因此，开发一种或几种用于制备RuCoRe基靶材的钌钴铼合金粉显得尤为重要。[0003]专利“CN112108191A”公布了一种钌钴铼合金粉纳米催化剂的制备方法，所述的方法为：通过油相一步法制备出RuCo双金属纳米粒子，然后采用吸附法将其负载到介孔载体上。该方法采用化学合成制备纳米钌钴铼粉，涉