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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113371714A(43)申请公布日2021.09.10(21)申请号202110504203.4(22)申请日2021.05.10(71)申请人如皋市化合物半导体产业研究所地址226500江苏省南通市如皋市海阳南路2号光电科技产业园3号楼1楼(72)发明人何建军赵有文沈桂英刘京明(74)专利代理机构北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316代理人万小侠(51)Int.Cl.C01B33/02(2006.01)C01B25/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)C30B35/00(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称一种硅磷合金的制备方法(57)摘要本发明公开了一种硅磷合金的制备方法,它涉及半导体材料技术领域。具体步骤如下:将器具洗净并烘干;按照重量百分比分别称取硅单质和红磷单质;将硅单质和红磷单质放入器具内,并使用抽真空设备对石英管抽真空,再对石英管进行真空封管;将石英管放进高压水平炉,并使硅单质处于高压水平炉的高温区,红磷单质处于高压水平炉的低温区,石英块处于高压水平炉的高温区和低温区之间;在石英舟两端分别放置测温热电偶;对石英管进行变温处理;控制石英管内外压强平衡;合金合成,将石英管切开,取出合金材料。本发明的优点在于:合金制备在密闭石英管中进行,避免外界污染,通过使用定向凝固技术,进行进一步的材料提纯,合成的硅磷合金的纯度高。CN113371714ACN113371714A权利要求书1/2页1.一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、器具准备:将石英管、石英舟、石英块和石英封帽用王水浸泡,使用去离子水冲洗干净并在通风橱中进行烘干,石英管的一端封闭,另一款为开口;S2、称取硅单质和红磷单质:按照重量百分比分别称取硅单质和红磷单质;S3、将硅单质和红磷单质放入器具内:将步骤S2中称取的硅单质和红磷单质分别置于两个清洗干燥后的石英舟中,将装有硅单质的石英舟置于石英管内且靠近封闭端,将石英块置于石英管中间位置,然后将装有红磷单质的石英舟置于石英管的内且靠近开口端,将石英封帽置于石英管的开口端,并使用抽真空设备对石英管抽真空,再使用氢氧焰烧结石英管与石英封帽重叠位置,对石英管进行真空封管;S4、高温加热:将石英管放进高压水平炉,并使硅单质处于高压水平炉的高温区,红磷单质处于高压水平炉的低温区,石英块处于高压水平炉的高温区和低温区之间;S5、加热温度测量:在装有硅单质和红磷单质的两个石英舟两端分别放置测温热电偶,测温热电偶与温控程序相连,实时测量炉内温度变化;S6、变温处理:开启高压水平炉的温控程序,按照设定的温度控制工艺对石英管进行变温处理;S7、压强控制:对石英管进行变温处理的同时,根据低温区温度的变化趋势对高压水平炉内进行压强控制,以控制石英管内外压强平衡;S8、合金成品:温度控制和压强控制工艺全部结束后,合金合成完成,使用切割机将石英管切开,取出合金材料。2.根据权利要求1所述的一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,所述硅单质纯度为7N,所述红磷单质纯度为6N;硅单质和红磷单质按照以下重量百分比称取:硅单质30%‑50%、磷单质50%‑70%。3.根据权利要求1所述的一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,石英管进行抽真空后,石英管内的真空度小于1×10‑3Pa。4.根据权利要求1所述的一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:所述步骤S6中,所述变温处理工艺包括以下几个阶段:升温阶段:分别控制高压水平炉内的高温区和低温区温度,使高温区温度和低温区温度逐渐上升至设定温度;恒温阶段,高温区和低温区的升温阶段结束以后,保持恒温一段时间;降温阶段:控制高压水平炉内高温区和低温区的温度分别逐步降至室温。5.根据权利要求4所述的一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:所述升温阶段,高温区温度上升至1130‑1200℃,低温区温度上升至420‑450℃,升温时间为4‑7小时;所述恒温阶段的保持时间为1‑3小时;所述降温阶段的降温工艺采用定向凝固技术,从盛装硅单质的石英舟的低温端向高温端逐步降温,降温速率为0‑5℃/min。6.根据权利要求1所述的一种硅磷合金的制备方法,其特征在于:所述步骤S7中,所述压强控制包括以下几个阶段:增压阶段:随着水平高压炉内低温区温度升高,向炉内充入氮气,不断增加炉内的压强,保持石英管内外压力平衡;恒压阶段:当低温区温度升高到目标值,开始保持恒温,炉内的压强也保持恒定;2CN113371714A权利要求书2/2页减压阶段:恒温结束后,低温区开始降温,将炉内氮气放出,随之降低炉内的压强,保持石英管内外压力平衡。7.根据权利要求6所述的一种硅磷合金